Datasheet下载- 型号： JAN1N6463US
- 制造商： MICRO-SEMI
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供JAN1N6463US由MICRO-SEMI设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 JAN1N6463US价格参考。MICRO-SEMIJAN1N6463US封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载JAN1N6463US参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有JAN1N6463US 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
JAN1N6463US是Semtech Corporation生产的一款符合军用规格的半导体器件，属于“其他”分类。该型号为 JAN（Joint Army-Navy）认证的二极管，通常用于高可靠性、严苛环境下的军事和航空航天应用。其主要功能可能涉及瞬态电压抑制（TVS）或整流保护，具备优良的抗浪涌和静电放电（ESD）保护能力。 典型应用场景包括：军用通信设备、雷达系统、航空电子设备、卫星通信终端以及导弹制导系统等对元器件稳定性和可靠性要求极高的领域。由于其通过了严格的军品级认证，能够在极端温度、高湿、强振动等恶劣环境下稳定工作，因此广泛应用于需要长期可靠运行的关键系统中。 此外，JAN1N6463US也适用于部分高安全性要求的民用领域，如航天发射系统、核设施控制设备和高端科研仪器。作为高可靠性电子系统中的保护元件，它能有效防止电压突变对敏感电路造成损害，保障系统安全运行。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 电路保护 |
| 描述 | TVS DIODE 12VWM 22.6VC BSQMELF |
| 产品分类 | TVS - 二极管 |
| 品牌 | Microsemi HI-REL [MIL] |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/11066-sd50a-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | JAN1N6463US |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同频率时的电容 | - |
| 供应商器件封装 | B, SQ-MELF |
| 其它名称 | 1086-2271 |
| 功率-峰值脉冲 | 500W |
| 包装 | 散装 |
| 单向通道 | 1 |
| 双向通道 | - |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SQ-MELF， B |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C |
| 应用 | 通用 |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-击穿（最小值） | 13.6V |
| 电压-反向关态（典型值） | 12V |
| 电压-箝位（最大值）@Ipp | 22.6V |
| 电流-峰值脉冲(10/1000µs) | 125A （8/20µs） |
| 电源线路保护 | 无 |
| 类型 | 齐纳 |
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