Datasheet下载- 型号： JAN1N6106US
- 制造商： MICRO-SEMI
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供JAN1N6106US由MICRO-SEMI设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 JAN1N6106US价格参考。MICRO-SEMIJAN1N6106US封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载JAN1N6106US参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有JAN1N6106US 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Microsemi Corporation（现为Littelfuse子公司）的JAN1N6106US是一款TVS（瞬态电压抑制）二极管，主要用于电路中对敏感电子元件进行过电压保护。该型号属于JAN系列军用级器件，具有高可靠性和稳定性，适用于对性能要求严格的场合。 应用场景主要包括： 1. 航空航天与军工设备：由于其军用级品质和优良的环境适应性，JAN1N6106US广泛应用于航空电子、雷达系统、导弹控制系统等对可靠性要求极高的军事和航天领域。 2. 通信设备：用于保护通信接口（如RS-485、以太网等）免受静电放电（ESD）、雷击浪涌和其他瞬态电压的损害，保障通信系统的稳定运行。 3. 工业控制系统：在PLC、变频器、工控机等设备中，用于保护关键电路不受瞬态电压冲击影响，提升系统稳定性与寿命。 4. 电源模块与转换器：作为输入或输出端的保护器件，防止因外部干扰或负载突变导致的电压尖峰损坏电源模块内部元件。 5. 测试与测量仪器：用于精密测试设备的信号输入端口保护，确保设备在复杂电磁环境中正常工作。 总之，JAN1N6106US凭借其优异的瞬态抑制能力和高可靠性，广泛应用于需要高安全性和稳定性的高端电子系统中。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 电路保护 |
| 描述 | TVS DIODE 7.6VWM 15.23VC SQMELF |
| 产品分类 | TVS - 二极管 |
| 品牌 | Microsemi HI-REL [MIL] |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/127892-lds-0277-1 |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | JAN1N6106US |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同频率时的电容 | - |
| 供应商器件封装 | B, SQ-MELF |
| 其它名称 | 1086-2144 |
| 功率-峰值脉冲 | 500W |
| 包装 | 散装 |
| 单向通道 | - |
| 双向通道 | 1 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SQ-MELF， B |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C |
| 应用 | 通用 |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-击穿（最小值） | 9.03V |
| 电压-反向关态（典型值） | 7.6V |
| 电压-箝位（最大值）@Ipp | 15.23V |
| 电流-峰值脉冲(10/1000µs) | 32.78A |
| 电源线路保护 | 无 |
| 类型 | 齐纳 |
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