Datasheet下载- 型号： JAN1N6105US
- 制造商： MICRO-SEMI
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供JAN1N6105US由MICRO-SEMI设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 JAN1N6105US价格参考。MICRO-SEMIJAN1N6105US封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载JAN1N6105US参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有JAN1N6105US 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
JAN1N6105US是Microsemi Corporation生产的一款TVS（瞬态电压抑制）二极管，主要用于电路中的过电压保护。该器件符合MIL-STD-750标准，具有高可靠性和稳定性，适用于对性能和可靠性要求较高的军事、航空航天及工业领域。 其主要应用场景包括： 1. 航空航天与国防电子：用于飞机、卫星、雷达等电子系统的电源和信号线保护，防止静电放电（ESD）、雷击浪涌等引起的损坏。 2. 通信设备：在基站、路由器、交换机等通信设备中，保护敏感的通信接口免受瞬态电压干扰。 3. 工业控制系统：用于PLC、传感器、执行器等工业自动化设备中，提高系统抗干扰能力和稳定性。 4. 测试与测量仪器：在示波器、万用表等精密仪器中，保护输入输出端口免受意外电压冲击。 5. 汽车电子系统：如车载控制模块、导航系统等，提供对瞬态电压的有效抑制，保障电子设备正常运行。 总之，JAN1N6105US凭借其优良的电气性能和环境适应能力，广泛应用于需要高可靠性和高抗扰度的高端电子系统中。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 电路保护 |
| 描述 | TVS DIODE 6.9VWM 14.07VC SQMELF |
| 产品分类 | TVS - 二极管 |
| 品牌 | Microsemi HI-REL [MIL] |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/127892-lds-0277-1 |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | JAN1N6105US |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同频率时的电容 | - |
| 供应商器件封装 | B, SQ-MELF |
| 其它名称 | 1086-2140 |
| 功率-峰值脉冲 | 500W |
| 包装 | 散装 |
| 单向通道 | - |
| 双向通道 | 1 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SQ-MELF， B |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C |
| 应用 | 通用 |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-击穿（最小值） | 8.22V |
| 电压-反向关态（典型值） | 6.9V |
| 电压-箝位（最大值）@Ipp | 14.07V |
| 电流-峰值脉冲(10/1000µs) | 35.44A |
| 电源线路保护 | 无 |
| 类型 | 齐纳 |
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