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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供J113RL1由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 J113RL1价格参考。ON SemiconductorJ113RL1封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载J113RL1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有J113RL1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
J113RL1 是安森美(ON Semiconductor)推出的N沟道结型场效应晶体管(JFET),属于射频(RF)类MOSFET/FET产品线,但需注意:J113 实际为通用低频JFET(非MOSFET,亦非高频/射频优化器件),其fₜ(截止频率)仅约2–5 MHz,不具备典型射频MOSFET(如UHF/VHF功率放大器用器件)的高频特性。ON Semiconductor 将其归类于“Transistors – FETs, MOSFETs – RF”属历史分类或广义FET归档偏差,实际应用中不适用于射频功率放大、高频开关或5G/WiFi等现代射频电路。 其典型应用场景包括: ✅ 低频模拟电路中的高输入阻抗缓冲级(如传感器信号调理、音频前置放大); ✅ 恒流源/电流镜(因JFET固有耗尽型特性,无需偏置电阻即可工作); ✅ 音频设备中的音量控制、可变衰减器或电子电位器替代方案; ✅ 教学实验与基础电子设计(结构简单、耐静电、易于驱动); ✅ 低速开关应用(如电源使能控制、LED调光,开关频率<100 kHz)。 J113RL1采用TO-92封装,具备低噪声、低功耗(IDSS ≈ 2–8 mA)、宽温度范围(−55°C 至 +150°C)等特性,适合工业控制、汽车电子(非安全关键系统)、消费类音频及电源管理辅助电路。使用时需注意其VGS(off)范围(−0.5 V 至 −4.0 V),合理设置偏置以确保线性区工作。 综上,该器件本质是通用型低频JFET,核心价值在于高输入阻抗、简单偏置和可靠性,而非射频性能。选型时应避免误用于真正射频场景。