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- 型号： J112G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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J112G产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供J112G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 提供J112G价格参考以及ON SemiconductorJ112G封装/规格参数等产品信息。 你可以下载J112G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书， 资料中有J112G详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | JFET N-CH 35V 350MW TO92JFET 35V 10mA |
| 产品分类 | JFET（结点场效应分离式半导体 |
| FET类型 | N 沟道 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,JFET,ON Semiconductor J112G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | J112G |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 35 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 35 V |
| Vgs=0时的漏-源电流 | 5 mA |
| 不同Id时的电压-截止（VGS关） | 1V @ 1µA |
| 不同Vds(Vgs=0)时的电流-漏极(Idss) | 5mA @ 15V |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 产品种类 | JFET |
| 供应商器件封装 | TO-92-3 |
| 其它名称 | J112G-ND |
| 功率-最大值 | 350mW |
| 包装 | 散装 |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Bulk |
| 封装/外壳 | TO-226-3、TO-92-3 标准主体 |
| 封装/箱体 | TO-92-3 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 标准包装 | 1,000 |
| 漏极电流(Id)-最大值 | - |
| 漏源极电压(Vdss) | - |
| 电压-击穿(V(BR)GSS) | 35V |
| 电阻-RDS（开） | 50 欧姆 |
| 系列 | J112 |
| 配置 | Single |
| 闸/源击穿电压 | 35 V |
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