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- 型号： J112G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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J112G产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供J112G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 提供J112G价格参考以及ON SemiconductorJ112G封装/规格参数等产品信息。 你可以下载J112G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书， 资料中有J112G详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor 的 J112G 是一款 N 沟道结型场效应晶体管（JFET），常用于低噪声、中速开关与模拟信号处理场景。其典型应用场景包括： 1. 音频前置放大电路：凭借高输入阻抗（约10⁹ Ω）和低栅极电流，适合麦克风、电吉他拾音器等高阻抗信号源的缓冲与放大，减少信号衰减； 2. 电压控制电阻（VCR）应用：利用其可变沟道电阻特性，构成压控衰减器或自动增益控制（AGC）电路； 3. 模拟开关与多路复用器：在低频（<1 MHz）、低功耗系统中作为单刀单掷开关，替代机械继电器或CMOS模拟开关（尤其在需更低关断泄漏电流时）； 4. 振荡器与定时电路：配合RC网络构成弛张振荡器（如方波发生器），用于时钟生成或LED闪烁驱动； 5. 电流源/有源负载：在分立式运放或恒流偏置电路中作高阻值有源负载，提升放大器增益与线性度。 J112G 具备-30 V漏源耐压、最大连续漏极电流30 mA、典型跨导2000 µS，采用TO-92封装，成本低、温度稳定性较好，适用于消费电子、工业传感器接口、教育实验套件及维修替换等对性能要求适中、注重可靠性的场合。需注意其为耗尽型器件（常开），设计时须施加负栅源电压（VGS）实现关断。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | JFET N-CH 35V 350MW TO92JFET 35V 10mA |
| 产品分类 | JFET（结点场效应分离式半导体 |
| FET类型 | N 沟道 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,JFET,ON Semiconductor J112G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | J112G |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 35 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 35 V |
| Vgs=0时的漏-源电流 | 5 mA |
| 不同Id时的电压-截止（VGS关） | 1V @ 1µA |
| 不同Vds(Vgs=0)时的电流-漏极(Idss) | 5mA @ 15V |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 产品种类 | JFET |
| 供应商器件封装 | TO-92-3 |
| 其它名称 | J112G-ND |
| 功率-最大值 | 350mW |
| 包装 | 散装 |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Bulk |
| 封装/外壳 | TO-226-3、TO-92-3 标准主体 |
| 封装/箱体 | TO-92-3 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 标准包装 | 1,000 |
| 漏极电流(Id)-最大值 | - |
| 漏源极电压(Vdss) | - |
| 电压-击穿(V(BR)GSS) | 35V |
| 电阻-RDS（开） | 50 欧姆 |
| 系列 | J112 |
| 配置 | Single |
| 闸/源击穿电压 | 35 V |
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