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  • 型号: ISL9N312AD3ST
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供ISL9N312AD3ST由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ISL9N312AD3ST价格参考。Fairchild SemiconductorISL9N312AD3ST封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载ISL9N312AD3ST参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有ISL9N312AD3ST 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

ISL9N312AD3ST 是由 Fairchild Semiconductor(现属onsemi)推出的 N 沟道增强型 MOSFET,采用 DFN-8(3×3 mm)封装,具有低导通电阻(RDS(on) ≈ 14 mΩ @ VGS = 10 V)、高电流能力(ID = 9 A连续,30 A脉冲)及快速开关特性。其典型应用场景包括:

1. DC-DC 电源转换:广泛用于同步降压(Buck)转换器的下管(low-side switch),尤其适用于笔记本电脑、平板电脑及通信设备中的高效 POL(Point-of-Load)电源模块。

2. 负载开关与电源管理:凭借低栅极电荷(Qg ≈ 15 nC)和逻辑电平兼容(VGS(th) 典型值 1.8 V),适合电池供电设备中的智能电源分配、热插拔控制及系统级电源启停管理。

3. 电机驱动与LED驱动:可用于小型直流电机(如风扇、微型泵)的H桥或单边驱动,以及中功率LED恒流驱动电路中的PWM调光开关。

4. 工业与消费类接口保护:在USB电源开关、eFuse替代方案中提供过流/短路保护功能(配合外部控制器实现)。

该器件强调高功率密度与热性能(RθJA ≈ 45°C/W),适用于空间受限且需高效率、低发热的设计场景。注意:实际应用中需合理设计PCB散热焊盘及驱动电路,确保栅极电压稳定并避免振荡。
产品参数 图文手册 常见问题
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