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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供ISL6613BCR由Intersil设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ISL6613BCR价格参考。IntersilISL6613BCR封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载ISL6613BCR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有ISL6613BCR 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ISL6613BCR 是瑞萨电子(Renesas Electronics America Inc.)推出的双通道、高速、低侧MOSFET栅极驱动器,专为同步降压转换器中的下管(low-side)驱动优化设计。其典型应用场景包括: - CPU/GPU核心供电(VRM):常用于台式机、服务器及高性能计算设备的多相同步降压稳压模块中,驱动下桥MOSFET,配合上管驱动器(如ISL6612/6617)实现高效功率转换; - DC-DC电源模块:适用于通信设备、网络交换机、存储系统等对效率、瞬态响应和EMI敏感的中高功率(数十安培级)应用; - 工业与嵌入式电源:在PLC、电机控制板、FPGA供电等场景中,提供高达2A峰值拉/灌电流、25ns典型传播延迟及优异的抗dv/dt噪声能力(可承受–2V负电压输入),保障高频开关(可达1MHz)下的可靠驱动; - 特点适配性:内置自举二极管(仅需单电源)、欠压锁定(UVLO)、独立使能控制及热增强DFN封装(3×3mm),便于紧凑型PCB布局。 该器件不适用于高侧直接驱动或半桥/全桥隔离驱动场景,需搭配外部自举电路或专用高侧驱动器协同工作。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 10-DFN |
| 产品分类 | PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关 |
| 品牌 | Intersil |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
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| 产品型号 | ISL6613BCR |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 10-DFN(3x3) |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 10-VFDFN 裸露焊盘 |
| 工作温度 | 0°C ~ 85°C |
| 延迟时间 | 10ns |
| 标准包装 | 100 |
| 电压-电源 | 7 V ~ 13.2 V |
| 电流-峰值 | 1.25A |
| 输入类型 | PWM |
| 输出数 | 2 |
| 配置 | 高端和低端,同步 |
| 配置数 | 1 |
| 高压侧电压-最大值(自举) | 36V |