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型号： IS61WV6416EEBLL-10TLI
制造商： ISSI
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供IS61WV6416EEBLL-10TLI由ISSI设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IS61WV6416EEBLL-10TLI价格参考。ISSIIS61WV6416EEBLL-10TLI封装/规格：未分类，暂无。您可以下载IS61WV6416EEBLL-10TLI参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IS61WV6416EEBLL-10TLI 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

IS61WV6416EEBLL-10TLI 是由 ISSI（Integrated Silicon Solution, Inc.）生产的一款存储器芯片，具体为静态随机存取存储器（SRAM）。以下是其主要应用场景：

 1. 工业控制
   - 该型号的 SRAM 可用于工业自动化设备中，例如 PLC（可编程逻辑控制器）、数据采集系统和实时控制系统。它提供快速的数据读写能力，适用于需要高可靠性和低延迟的应用。

 2. 通信设备
   - 在路由器、交换机和网络接口卡等通信设备中，IS61WV6416EEBLL-10TLI 可作为缓存或临时数据存储单元，支持高速数据包处理和协议转换。

 3. 汽车电子
   - ISSI 的 SRAM 芯片广泛应用于汽车电子领域，如车载信息娱乐系统、ADAS（高级驾驶辅助系统）和仪表盘显示模块。该型号能够满足汽车环境中对温度范围和稳定性的严格要求。

 4. 消费类电子产品
   - 在某些高性能消费类电子产品中，例如数码相机、打印机和游戏机，这款 SRAM 可用作图像处理或图形渲染的临时存储，确保流畅的操作体验。

 5. 医疗设备
   - 医疗仪器如超声波设备、心电图仪和监护仪可能使用此 SRAM 进行实时数据采集和处理，保证数据的准确性和响应速度。

 6. 嵌入式系统
   - 嵌入式处理器和微控制器通常需要外部 SRAM 来扩展内存容量。IS61WV6416EEBLL-10TLI 的高带宽和低延迟特性使其成为理想选择。

 技术特点
   - 容量：64K x 16 位（总计 1Mbit）
   - 工作电压：2.5V 或 3.3V
   - 访问时间：10ns
   - 封装形式：TQFP（薄型四方扁平封装）

综上所述，IS61WV6416EEBLL-10TLI 适合需要快速数据访问、低延迟和高可靠性的各种应用场景，尤其是在工业、通信、汽车和医疗等领域。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	集成电路 (IC)半导体
描述	IC SRAM 1MB 10NS 44TSOP静态随机存取存储器 1M, 2.4V-3.6V, 10ns LP Async 静态随机存取存储器
产品分类	存储器集成电路 - IC
品牌	ISSI
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	内存,静态随机存取存储器,ISSI IS61WV6416EEBLL-10TLI-
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	IS61WV6416EEBLL-10TLI
产品种类	静态随机存取存储器
供应商器件封装	44-TSOP2 （10.2x18.4）
包装	托盘
商标	ISSI
存储器类型	SRAM - 异步
存储容量	1 Mbit
存储类型	Asynchronous CMOS
安装风格	SMD/SMT
封装	Tray
封装/外壳	44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽）
封装/箱体	TSOP-2-44
工作温度	-40°C ~ 85°C
工厂包装数量	135
接口	Parallel
最大工作温度	+ 85 C
最小工作温度	- 40 C
标准包装	135
格式-存储器	RAM
电压-电源	2.4 V ~ 3.6 V
电源电压-最大	3.6 V
电源电压-最小	2.4 V
系列	IS61WV6416EEBLL
组织	64 k x 16
访问时间	10 ns
速度	10ns