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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IS61WV51216EDBLL-8TLI-TR由ISSI设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IS61WV51216EDBLL-8TLI-TR价格参考。ISSIIS61WV51216EDBLL-8TLI-TR封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IS61WV51216EDBLL-8TLI-TR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IS61WV51216EDBLL-8TLI-TR 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ISSI(Integrated Silicon Solution Inc)的IS61WV51216EDBLL-8TLI-TR是一款高性能异步静态随机存取存储器(SRAM),容量为512K x 16位,采用高速CMOS工艺制造,适用于对数据存取速度和稳定性要求较高的场景。 该器件广泛应用于通信设备、工业控制系统、网络设备、汽车电子以及消费类电子产品中。例如,在路由器或交换机中,它可用于缓存关键数据以提升处理效率;在工业控制领域,可作为PLC或嵌入式系统中的高速数据暂存单元;在汽车电子中,可用于仪表盘控制系统或驾驶辅助模块,确保实时响应与高可靠性。 此外,由于其低功耗设计和宽温工作范围(通常支持工业级温度标准),该型号也适合用于便携式设备或户外环境较为严苛的应用中。整体而言,IS61WV51216EDBLL-8TLI-TR凭借其高速度、高可靠性和广泛适用性,是众多高性能嵌入式系统和实时控制系统中的理想选择。
参数 | 数值 |
产品目录 | 集成电路 (IC) |
描述 | IC SRAM 8MB 8NS 44TSOP |
产品分类 | 存储器 |
品牌 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | IS61WV51216EDBLL-8TLI-TR |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
供应商器件封装 | 44-TSOP2 (10.2x18.4) |
包装 | 带卷 (TR) |
存储器类型 | SRAM - 异步 |
存储容量 | 8M(512K x 16) |
封装/外壳 | 44-TSOP(0.400",10.16mm 宽) |
工作温度 | -40°C ~ 85°C |
接口 | 并联 |
标准包装 | 1,000 |
格式-存储器 | RAM |
电压-电源 | 2.4 V ~ 3.6 V |
速度 | 8ns |