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产品简介:
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ISSI(Integrated Silicon Solution Inc)的IS61NLP25636A-200TQLI-TR是一款高速、低功耗的静态随机存取存储器(SRAM),其容量为9兆位(256K x 36),采用同步FIFO架构,适用于需要高性能和低延迟的数据缓存场景。 该器件主要应用于通信设备、网络交换与路由系统、工业控制设备以及测试测量仪器等领域。在通信设备中,它可用于数据缓冲和临时存储,提升数据处理效率;在网络设备中,支持高速数据包的快速暂存与转发;在工业控制系统中,提供稳定可靠的高速存储支持;在测试设备中,则有助于实现高速信号采集与处理。 该SRAM具有异步读写接口、宽电压范围和工业级温度适应能力,适合复杂环境下的稳定运行,是高可靠性系统设计中的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC SRAM 9MBIT 200MHZ 100TQFP |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
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| 产品型号 | IS61NLP25636A-200TQLI-TR |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 100-TQFP(14x20) |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 存储器类型 | SRAM - 同步 |
| 存储容量 | 9M(256K x 36) |
| 封装/外壳 | 100-LQFP |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 800 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 3.135 V ~ 3.465 V |
| 速度 | 200MHz |