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产品简介:
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ISSI(Integrated Silicon Solution Inc)的IS61LPD51236A-200TQLI-TR是一款高速低功耗的异步静态随机存取存储器(SRAM),容量为512K x 36位,访问时间为200MHz,采用TQFP封装,适用于工业级温度范围,具备较高的可靠性和稳定性。 该型号SRAM主要应用于对数据存取速度和稳定性要求较高的工业与通信设备中,例如: 1. 网络通信设备:如路由器、交换机等,用于缓存和快速处理数据包。 2. 工业控制系统:在PLC、工业计算机中作为高速缓存,提升系统响应速度。 3. 测试与测量仪器:用于高速数据采集与临时数据存储。 4. 医疗设备:如影像设备、监护系统,要求高可靠性和快速数据处理。 5. 汽车电子:如高级驾驶辅助系统(ADAS)和车载信息娱乐系统。 其低功耗设计也适合对能耗敏感的应用场景,是一款广泛适用于高性能嵌入式系统的存储解决方案。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC SRAM 18MBIT 200MHZ 100TQFP |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IS61LPD51236A-200TQLI-TR |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 100-TQFP(14x20) |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 存储器类型 | SRAM - 同步 |
| 存储容量 | 18M(512K x 36) |
| 封装/外壳 | 100-LQFP |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 800 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 3.135 V ~ 3.465 V |
| 速度 | 200MHz |