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产品简介:
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IS61LF12836A-7.5B2I-TR 是 ISSI(Integrated Silicon Solution Inc.)推出的一款高速异步静态随机存取存储器(SRAM),容量为128K × 36位(总容量约4.6兆位),采用7.5纳秒的访问速度,支持工业级温度范围(-40°C 至 +85°C),封装形式为BGA,适用于对性能和可靠性要求较高的工业与通信环境。 该型号SRAM主要应用于需要高速数据缓存和实时处理的场景。典型应用包括网络设备中的数据缓冲,如路由器、交换机和基站设备;工业自动化控制系统,用于PLC、工控机和高精度测量仪器中的临时数据存储;以及通信基础设施中的信号处理单元。此外,该器件也适用于测试测量设备、医疗电子系统和航空航天等对稳定性和耐用性有严苛要求的领域。 其高速读写能力、低功耗特性和工业级工作温度,使其在恶劣环境下仍能保持稳定运行,是高性能嵌入式系统中理想的存储解决方案。同时,小型BGA封装有助于节省电路板空间,适合高密度布局设计。
参数 | 数值 |
产品目录 | 集成电路 (IC) |
描述 | IC SRAM 4.5MBIT 7.5NS 119BGA |
产品分类 | 存储器 |
品牌 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | IS61LF12836A-7.5B2I-TR |
rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
供应商器件封装 | 119-PBGA(14x22) |
包装 | 带卷 (TR) |
存储器类型 | SRAM - 同步 |
存储容量 | 4.5M(128K x 36) |
封装/外壳 | 119-BBGA |
工作温度 | -40°C ~ 85°C |
接口 | 并联 |
标准包装 | 1,000 |
格式-存储器 | RAM |
电压-电源 | 3.135 V ~ 3.6 V |
速度 | 7.5ns |