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产品简介:
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ISSI(Integrated Silicon Solution Inc)的IS41C16105C-50TLI是一款高速静态随机存取存储器(SRAM),容量为16Mbit(1M x16),采用高速CMOS工艺制造,访问时间仅为5.4ns,适用于对性能要求较高的系统。 该器件主要应用于以下场景: 1. 网络设备:如路由器、交换机等,用于高速缓存数据包或路由表,提高数据转发效率。 2. 通信设备:在基站、传输设备中作为高速缓冲存储器,满足实时数据处理需求。 3. 工业控制:用于PLC、工业计算机等设备中,提升系统响应速度和稳定性。 4. 测试测量仪器:如示波器、逻辑分析仪等,用于高速数据采集与缓存。 5. 汽车电子:在高级驾驶辅助系统(ADAS)或车载信息娱乐系统中提供快速数据存取支持。 6. 嵌入式系统:用于需要高速、低延迟存储的嵌入式控制系统中。 该SRAM支持低功耗待机模式,适用于需要高性能与节能兼顾的应用场合。其TQFP封装形式适合高密度PCB布局,广泛用于各类高性能电子系统中。
参数 | 数值 |
产品目录 | 集成电路 (IC) |
描述 | IC DRAM 16M 50NS 54TSOP |
产品分类 | 存储器 |
品牌 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | IS41C16105C-50TLI |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
供应商器件封装 | 54-TSOP II |
包装 | 托盘 |
存储器类型 | DRAM - FP |
存储容量 | 16M (1M x 16) |
封装/外壳 | 54-TSOP(0.400",10.16mm 宽) |
工作温度 | -40°C ~ 85°C |
接口 | 并联 |
标准包装 | 117 |
格式-存储器 | RAM |
电压-电源 | 4.5 V ~ 5.5 V |
速度 | 50ns |