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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRLU3705ZPBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRLU3705ZPBF价格参考。International RectifierIRLU3705ZPBF封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRLU3705ZPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRLU3705ZPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IRLU3705ZPBF是英飞凌(Infineon Technologies)推出的N沟道增强型逻辑电平功率MOSFET,采用TO-251(IPAK)表面贴装封装。其典型参数包括:VDS = 55 V、RDS(on) ≈ 12 mΩ(VGS = 10 V)、ID(连续)= 68 A(TC = 25°C),具备低导通电阻、快速开关特性及逻辑电平驱动能力(VGS(th)低至1–2 V),可直接由微控制器(如STM32、Arduino等)IO口驱动,无需额外驱动电路。 主要应用场景包括: ✅ DC-DC电源转换:用于同步整流BUCK变换器、POL(负载点)电源模块,提升效率; ✅ 电机控制:适用于中小功率直流有刷电机、步进电机的H桥或单路驱动电路(如电动工具、家电风扇、机器人关节驱动); ✅ 电源管理与负载开关:作为电子保险丝、热插拔保护、电池供电系统的主/次级侧开关; ✅ LED驱动与照明控制:用于PWM调光电路中的高效率电流开关; ✅ 工业与汽车电子辅助系统:如车身控制模块(BCM)中的继电器替代、车窗升降、座椅调节等12 V系统负载开关(符合AEC-Q101可靠性标准)。 该器件具备良好的雪崩耐受能力与ESD防护,适合中高频(≤100 kHz)开关应用,在注重能效、PCB空间与成本控制的嵌入式系统中被广泛应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 55V 42A I-PAKMOSFET MOSFT 55V 89A 8mOhm 44nC Log Lvl |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 89 A |
| Id-连续漏极电流 | 89 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRLU3705ZPBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRLU3705ZPBF |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 130 W |
| Pd-功率耗散 | 130 W |
| Qg-GateCharge | 44 nC |
| Qg-栅极电荷 | 44 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 12 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 12 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 55 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 55 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 16 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 16 V |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2900pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 66nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 8 毫欧 @ 42A,10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | I-Pak |
| 其它名称 | *IRLU3705ZPBF |
| 功率-最大值 | 130W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-251-3 长引线,IPak,TO-251AB |
| 封装/箱体 | IPAK-3 |
| 工厂包装数量 | 75 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 标准包装 | 75 |
| 漏源极电压(Vdss) | 55V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 42A (Tc) |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irlru3705z.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irlru3705z.spi |