【IRLU3114ZPBF/规格参数】厂家_IRLU3114ZPBF中文资料_价格

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型号： IRLU3114ZPBF
制造商： International Rectifier
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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IRLU3114ZPBF产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供IRLU3114ZPBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。提供IRLU3114ZPBF价格参考￥询价-￥询价以及International RectifierIRLU3114ZPBF封装/规格参数等产品信息。你可以下载IRLU3114ZPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRLU3114ZPBF详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	MOSFET N-CH 40V 42A I-PAKMOSFET MOSFT 40V 130A 4.9mOhm 40nC Log Lvl
产品分类	FET - 单分离式半导体
FET功能	逻辑电平门
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
Id-ContinuousDrainCurrent	130 A
Id-连续漏极电流	130 A
品牌	International Rectifier
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产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,MOSFET,International Rectifier IRLU3114ZPBFHEXFET®
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产品型号	IRLU3114ZPBF
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Pd-PowerDissipation	140 W
Pd-功率耗散	140 W
Qg-GateCharge	40 nC
Qg-栅极电荷	40 nC
RdsOn-Drain-SourceResistance	6.5 mOhms
RdsOn-漏源导通电阻	6.5 mOhms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	40 V
Vds-漏源极击穿电压	40 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	16 V
Vgs-栅源极击穿电压	16 V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	2.5V @ 100µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	3810pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	56nC @ 4.5V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	4.9 毫欧 @ 42A，10V
产品培训模块	http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240
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产品种类	MOSFET
供应商器件封装	I-Pak
功率-最大值	140W
包装	管件
商标	International Rectifier
安装类型	通孔
安装风格	Through Hole
封装	Tube
封装/外壳	TO-251-3 长引线，IPak，TO-251AB
封装/箱体	IPAK-3
工厂包装数量	75
晶体管极性	N-Channel
标准包装	75
漏源极电压(Vdss)	40V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	42A （Tc）