Datasheet下载- 型号： IRG7PH35U-EP
- 制造商： International Rectifier
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRG7PH35U-EP由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRG7PH35U-EP价格参考。International RectifierIRG7PH35U-EP封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRG7PH35U-EP参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRG7PH35U-EP 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IRG7PH35U-EP 是英飞凌（Infineon Technologies）推出的增强型功率半导体器件，属于高性能、高可靠性650 V、35 A 的 IGBT（绝缘栅双极型晶体管），采用TO-247-4L封装并带开尔文发射极（Kelvin Emitter）引脚，专为高频、高效率开关应用优化。 其典型应用场景包括： ✅ 工业电机驱动器：如变频器（VFD）、伺服驱动系统，利用其低导通损耗（VCE(sat) ≈ 1.7 V @ IC = 35 A）和快速开关特性（ton/toff 约数十纳秒），提升能效与动态响应； ✅ 不间断电源（UPS）与储能变流器（PCS）：在DC/AC逆变环节中实现高效能量转换，支持高开关频率（可达20–40 kHz），减小滤波器体积； ✅ 新能源发电设备：如光伏组串式逆变器、风力发电变流器的升压或逆变级，得益于其高温稳定性（Tj(max) = 175°C）及AEC-Q101兼容的增强型可靠性（-EP后缀代表“Enhanced Product”，适用于严苛工业/车载环境）； ✅ 感应加热与焊接电源：需高di/dt能力与鲁棒短路耐受（10 µs短路承受能力），该器件具备优异的雪崩耐量与抗闩锁设计。 注：虽归类为“IGBT/MOSFET 单管”，但IRG7PH35U-EP本质为沟槽栅场截止型IGBT（Trench Field-Stop IGBT），非MOSFET；其Kelvin发射极结构显著降低驱动回路电感，抑制米勒振荡，提升开关可控性与EMI性能。适用于对功率密度、可靠性和长期运行稳定性要求较高的中高功率（1–5 kW级）电力电子系统。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 25°C时Td（开/关）值 | 30ns/160ns |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| Current-CollectorPulsed(Icm) | 60A |
| 描述 | IGBT 1200V 55A TO247 |
| 产品分类 | IGBT - 单路 |
| GateCharge | 130nC |
| IGBT类型 | 沟道 |
| 品牌 | International Rectifier |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IRG7PH35U-EP |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| SwitchingEnergy | 1.06mJ （开）， 620µJ （关） |
| TestCondition | 600V，20A，10 欧姆，15V |
| 不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 2.2V @ 15V，20A |
| 供应商器件封装 | TO-247AD |
| 功率-最大值 | 210W |
| 包装 | 管件 |
| 反向恢复时间(trr) | - |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 标准包装 | 25 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 1200V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 55A |
| 输入类型 | 标准 |
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