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  • 型号: IRFW620BTM
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IRFW620BTM由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFW620BTM价格参考。Fairchild SemiconductorIRFW620BTM封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRFW620BTM参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFW620BTM 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

IRFW620BTM 是英飞凌(Infineon)推出的 N 沟道增强型高压功率 MOSFET,采用 TO-247AC 封装,具备 900 V 耐压、1.8 A 连续漏极电流(Tc=25℃)、低导通电阻(Rds(on) 典型值 3.5 Ω)及快速开关特性。其主要应用场景包括:

- 工业电源与开关电源(SMPS):适用于 AC-DC 适配器、服务器电源、通信电源中的 PFC(功率因数校正)电路或主功率开关级,尤其适合中等功率(数十瓦至百瓦级)、高输入电压(如 380 VAC 整流后)场合。

- 电机控制:用于小型变频驱动器、风机/水泵控制器、电动工具的 H 桥或单管驱动电路,承担高频斩波与能量切换功能。

- 照明电子镇流器与LED驱动:在高压隔离型LED恒流驱动或荧光灯电子镇流器中,作为高频开关器件实现高效能量转换。

- 电焊设备与感应加热:在中小功率逆变式焊机或简易电磁炉驱动模块中,承担高频逆变桥臂开关任务(需配合合理驱动与散热设计)。

- 通用高压直流开关应用:如电池管理系统(BMS)中的高压侧保护开关、工业继电器替代、电源软启动/浪涌抑制等。

注意:该器件属单管封装,不集成驱动或保护电路,实际应用中需搭配合适的栅极驱动器、过压/过流保护及充分散热措施(建议使用散热器),并避免工作在雪崩区或线性区长时间导通,以确保可靠性。
产品参数 图文手册 常见问题
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