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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFU421由Harris设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFU421价格参考。HarrisIRFU421封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRFU421参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFU421 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Harris Corporation(哈里斯公司)历史上曾涉足半导体业务,但其半导体部门(包括IRFU421等MOSFET型号)早在1998年即被国际整流器公司(International Rectifier, IR)收购。因此,IRFU421实际为IR公司设计与生产的N沟道增强型功率MOSFET,并非当前Harris Corporation在售产品;现Harris(已并入L3Harris Technologies)主营通信、航天与国防系统,不生产分立半导体器件。 IRFU421典型参数:耐压50V、连续漏极电流约8.4A(Tc=25℃)、Rds(on) ≈ 0.12Ω(Vgs=10V),采用TO-251(IPAK)表面贴装封装,具备快速开关、低导通损耗和良好热稳定性。 主要应用场景包括: - 中小功率DC-DC转换器(如BUCK电路中的主开关管); - 电机驱动电路(如直流有刷电机调速、步进电机相驱动); - 电源管理模块(如电子负载、LED恒流驱动、电池保护板中的充放电控制开关); - 工业控制中的继电器替代、电磁阀/螺线管驱动; - 消费类电源适配器、充电器的次级同步整流或初级侧开关(需配合驱动电路)。 该器件适用于中频(≤100kHz)、中等电流场合,强调成本效益与可靠性,常见于工业控制板、电源模块及嵌入式系统中。选型时需注意散热设计(TO-251需敷铜散热)及栅极驱动电压匹配(推荐Vgs ≥ 10V以确保充分导通)。