【未分类_IRFR430BTM】封装/厂家_IRFR430BTM中文资料_价格

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型号： IRFR430BTM
制造商： Fairchild Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供IRFR430BTM由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFR430BTM价格参考。Fairchild SemiconductorIRFR430BTM封装/规格：未分类，暂无。您可以下载IRFR430BTM参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRFR430BTM 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

IRFR430BTM（ON Semiconductor）是一款N沟道增强型功率MOSFET，采用DPAK（TO-252）表面贴装封装，具有400V漏源耐压、2.1A连续漏极电流（Tc=25℃）、典型导通电阻Rds(on) ≈ 2.7Ω（Vgs=10V），具备快速开关特性与内置ESD保护。

其典型应用场景包括：  
1. 中低功率开关电源：如AC-DC适配器、LED驱动电源中的次级侧同步整流或初级侧开关（适用于中小功率设计）；  
2. 电机控制：用于小型直流电机、步进电机的H桥驱动或PWM调速电路（适合<50W负载）；  
3. 电池管理系统（BMS）：作为充放电回路中的保护开关或均衡开关；  
4. 工业控制模块：PLC输出驱动、继电器替代、电磁阀/螺线管驱动等中等电压/电流负载切换；  
5. 消费电子电源管理：打印机、机顶盒、网络设备中的DC-DC转换及负载开关应用。

该器件因DPAK封装散热性能优于SOT-23，且具备雪崩耐受能力，适用于对可靠性与空间有要求的板载开关场景。需注意：实际使用时应确保栅极驱动电压≥10V以充分导通，并配合合理PCB铜箔散热及驱动电路设计（如加栅极电阻抑制振荡）。不推荐用于高频（>100kHz）或大电流连续导通工况。

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