Datasheet下载- 型号： IRFHM8337TRPBF
- 制造商： International Rectifier
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFHM8337TRPBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFHM8337TRPBF价格参考。International RectifierIRFHM8337TRPBF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRFHM8337TRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRFHM8337TRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IRFHM8337TRPBF（Infineon Technologies）是一款高性能N沟道增强型功率MOSFET，采用小型化DirectFET®封装（2.5 mm × 2.5 mm），具有超低导通电阻（RDS(on) ≈ 4.2 mΩ @ VGS = 10 V）、快速开关特性及优异的热性能。其典型应用场景包括： - 高密度DC-DC转换器：广泛用于服务器、通信设备和AI加速卡中的同步降压（Buck）转换器次级侧（同步整流），提升效率与功率密度； - 负载点（POL）电源模块：适配FPGA、ASIC等数字负载对动态响应与低电压（如0.8–3.3 V）、大电流（可达30 A以上）的需求； - 电池供电系统：应用于便携式工业设备、无人机电调（ESC）中的高效电机驱动或电池保护电路； - 热插拔与电子保险丝（eFuse）：凭借低RDS(on)和强雪崩耐受能力，实现过流/短路保护与平滑上电控制； - LED驱动与固态继电器（SSR）：在中低功率照明驱动及隔离控制回路中替代机械继电器。 该器件支持3.3 V/5 V逻辑电平驱动，兼容主流PWM控制器，并具备RoHS合规与无卤素特性，适用于对空间、能效与可靠性要求严苛的现代电子系统。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 12A 8PQFN |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | International Rectifier |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | IRFHM8337TRPBF |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | HEXFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.35V @ 25µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 755pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 8.1nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 12.4 毫欧 @ 12A，10V |
| 供应商器件封装 | 8-PQFN（3.3X3.3），Power33 |
| 其它名称 | IRFHM8337TRPBFDKR |
| 功率-最大值 | 2.8W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-PowerTDFN |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 12A （Ta） |
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