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- 型号： IRFHE4250DTRPBF
- 制造商： International Rectifier
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFHE4250DTRPBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFHE4250DTRPBF价格参考。International RectifierIRFHE4250DTRPBF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRFHE4250DTRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRFHE4250DTRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IRFHE4250DTRPBF 是英飞凌（Infineon Technologies）推出的高性能650V、110mΩ（典型值）单通道高压CoolMOS™ C7系列超级结MOSFET（虽属“单管”，但其封装为TO-263-7L，常被归类于“MOSFET阵列”广义范畴或误标；需注意：该型号实为单N沟道MOSFET，并非多芯片阵列。Infineon官方目录中明确将其列为分立式高压MOSFET，非双/多管集成阵列）。 其典型应用场景聚焦于高效率、高功率密度的中高功率开关电源系统，包括： • 服务器与通信设备的AC-DC前端整流/LLC谐振变换器、PFC（功率因数校正）主开关； • 工业电源、光伏逆变器中的DC-DC升压/隔离模块； • 电动汽车车载充电机（OBC）的高压DC-DC转换级； • 不间断电源（UPS）和储能系统的主功率开关。 得益于CoolMOS™ C7技术，该器件具备极低的导通电阻（RDS(on)）与优异的开关损耗平衡，支持高频（≥100 kHz）工作，显著提升系统效率与功率密度，并简化散热设计。其增强型引脚布局（7引脚TO-263）优化了源极电感，利于EMI抑制与并联应用。 注：若用户实际需求为“真正MOSFET阵列”（如双N沟道、半桥集成等），建议核对型号——IRFHE4250DTRPBF并非阵列器件，可考虑Infineon同系列如IRFH5006（双N沟道）或IRS2092S（驱动+MOSFET集成方案）。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 25V 60A PQFN 6X6 |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道（双） |
| 品牌 | International Rectifier |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | IRFHE4250DTRPBF |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | FASTIRFET™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.1V @ 35µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1735pF @ 13V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 20nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 2.75 毫欧 @ 27A， 10V |
| 供应商器件封装 | 32-PQFN （6x6） |
| 其它名称 | IRFHE4250DTRPBFDKR |
| 功率-最大值 | 156W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 32-PowerWFQFN |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 25V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 86A， 303A |
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