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  • 型号: IRFH5110TR2PBF
  • 制造商: International Rectifier
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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IRFH5110TR2PBF产品简介:

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产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 100V 5X6 PQFN

产品分类

FET - 单

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

品牌

International Rectifier

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产品型号

IRFH5110TR2PBF

PCN组件/产地

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PCN过时产品

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rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

HEXFET®

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 100µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

3152pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

72nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

12.4 毫欧 @ 37A,10V

供应商器件封装

PQFN(5x6)

其它名称

IRFH5110TR2PBFDKR

功率-最大值

3.6W

包装

Digi-Reel®

安装类型

表面贴装

封装/外壳

8-PowerVQFN

标准包装

1

漏源极电压(Vdss)

100V

特色产品

http://www.digikey.com/cn/zh/ph/internationalrectifier/pqfn.html

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

11A (Ta), 63A (Tc)

设计资源

http://www.irf.com/product-info/models/saber/irfh5110pbf.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irfh5110pbf.spi

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