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- 型号： IRFD322
- 制造商： Harris
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFD322由Harris设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFD322价格参考。HarrisIRFD322封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRFD322参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRFD322 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IRFD322 是由 International Rectifier（现已被英飞凌 Infineon 收购）生产的一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，并非 Harris Corporation（哈里斯公司）的产品。Harris Corporation 主要专注于通信、航空航天、国防电子系统及集成电路（如军用级逻辑器件、ADC/DAC、RF收发芯片等），并未设计或量产 IRFD 系列 MOSFET。该型号的“IRF”前缀明确代表 International Rectifier。 IRFD322 的典型参数包括：VDS = 100 V，ID（连续）= 1.7 A，RDS(on) ≈ 0.4 Ω（VGS = 10 V），采用 DPAK（TO-252）表面贴装封装，具备快速开关特性与内置体二极管。 其主要应用场景包括： - 中小功率开关电源中的同步整流或初级侧开关； - DC-DC 转换器（如 Buck/Boost 电路）中的低频/中频（≤100 kHz）功率开关； - 电机驱动电路（如小型直流风机、步进电机相位控制）； - 电池供电设备中的电源管理（如负载开关、LED 驱动调光）； - 工业控制板、家电控制模块中的继电器替代方案（固态开关）。 需注意：该器件为通用工业级 MOSFET，不适用于高频射频或高可靠性军工场景；若项目涉及 Harris 品牌器件选型，建议核查实际物料编码并参考其官方文档（如 HFA/HA 系列 RF MOSFET 或抗辐射逻辑芯片）。
产品参数
图文手册
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