Datasheet下载- 型号： IRF6797MTRPBF
- 制造商： International Rectifier
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF6797MTRPBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF6797MTRPBF价格参考。International RectifierIRF6797MTRPBF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRF6797MTRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRF6797MTRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IRF6797MTRPBF 是英飞凌（Infineon Technologies）推出的高性能N沟道增强型功率MOSFET，采用最新OptiMOS™ 5技术，具有超低导通电阻（RDS(on) ≈ 1.3 mΩ @ VGS = 10 V）、高电流能力（ID = 240 A，TC = 25°C）及优化的开关性能。其主要应用场景包括： - 服务器与通信电源：用于DC-DC降压转换器（如CPU/GPU供电的VRM模块），凭借低RDS(on)和优异的FOM（品质因数），显著提升能效与功率密度； - 工业电源与UPS系统：适用于高频同步整流、电机驱动H桥上/下管及不间断电源逆变电路，支持高可靠性连续运行； - 新能源设备：在光伏逆变器辅助电源、储能系统（ESS）的电池管理单元（BMS）保护电路中，提供快速响应与低损耗开关； - 车载电子（非车规级，需注意：该型号为工业级，非AEC-Q101认证）：可用于车载DC-DC转换或测试设备等非安全关键场景。 该器件采用PG-TDSON-8封装（裸焊盘），具备优良热性能，适合紧凑型高功率设计。需配合优化的栅极驱动与PCB散热设计以发挥最佳性能。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 25V 36A DIRECTFET-MX |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | International Rectifier |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IRF6797MTRPBF |
| PCN其它 | |
| PCN组件/产地 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | HEXFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.35V @ 150µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 5790pF @ 13V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 68nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 1.4 毫欧 @ 38A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
| 产品目录绘图 |
|
| 供应商器件封装 | DIRECTFET™ MX |
| 功率-最大值 | 2.8W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | DirectFET™ 等容 MX |
| 标准包装 | 4,800 |
| 漏源极电压(Vdss) | 25V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 36A （Ta）， 210A （Tc） |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irf6797mpbf.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irf6797mpbf.spi |
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