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Datasheet下载- 型号： IRF6623TRPBF
- 制造商： International Rectifier
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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IRF6623TRPBF产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF6623TRPBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 提供IRF6623TRPBF价格参考以及International RectifierIRF6623TRPBF封装/规格参数等产品信息。 你可以下载IRF6623TRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书， 资料中有IRF6623TRPBF详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IRF6623TRPBF（由Texas Instruments收购的International Rectifier品牌推出）是一款N沟道增强型功率MOSFET，采用DirectFET®封装，具有低导通电阻（Rds(on)典型值仅3.1mΩ @ Vgs=10V）、高开关速度和优异的热性能。其主要应用场景包括： - 高效DC-DC电源转换：广泛用于服务器、通信设备及数据中心的POL（Point-of-Load）电源模块中，配合同步整流控制器实现高效率、高功率密度的降压变换。 - 电机驱动与负载开关：适用于中小功率BLDC电机驱动的上/下桥臂，以及工业PLC输出模块、智能电表中的电子负载开关。 - 电池管理系统（BMS）：用于电池保护电路中的充放电主控开关，凭借低Rds(on)减小功耗与温升，提升系统可靠性。 - LED照明驱动：在高电流LED恒流驱动或调光电路中作为PWM开关元件，支持高频工作与快速响应。 需注意：该器件为逻辑电平兼容（Vgs(th)约2.0–2.8V），可直接由MCU或驱动IC控制；但实际应用中仍建议搭配栅极驱动器以优化开关性能并避免振荡。封装为无引脚DirectFET（顶部散热），需严格遵循PCB热设计规范（如大面积铜箔+过孔散热）。 （注：虽TI官网已整合IR产品线，但IRF6623TRPBF当前由TI官方渠道供应并提供完整技术支持。）
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 20V 16A DIRECTFET |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | International Rectifier |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
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| 产品型号 | IRF6623TRPBF |
| PCN其它 | |
| PCN组件/产地 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | HEXFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1360pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 17nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 5.7 毫欧 @ 15A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
| 产品目录绘图 |
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| 产品目录页面 | |
| 供应商器件封装 | DIRECTFET™ ST |
| 其它名称 | IRF6623TRPBFDKR |
| 功率-最大值 | 1.4W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | DirectFET™ 等容 ST |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 16A （Ta）， 55A （Tc） |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irf6623.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irf6623.spi |
