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- 型号： IRF626
- 制造商： Harris
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF626由Harris设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF626价格参考。HarrisIRF626封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRF626参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRF626 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IRF626 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET（由国际整流器公司 IR，现属英飞凌推出），采用 TO-220 封装，典型参数：VDS = 250 V，ID（连续）≈ 3.5 A（TC=25°C），RDS(on) ≈ 1.5 Ω（VGS=10 V），具备快速开关特性与较低栅极电荷。 其主要应用场景包括： ✅ 中小功率开关电源：如AC-DC适配器、LED驱动电源中的主开关管或同步整流辅助开关； ✅ 电机控制电路：适用于直流有刷电机（≤100 W）、步进电机驱动中的H桥低侧开关； ✅ 电子负载与可调稳压模块：利用其线性区可控特性，用于简易恒流源或LDO后级调整管（需注意散热）； ✅ 家电与工业控制：如电磁阀/继电器驱动、照明调光（相位控制）、逆变器辅助开关等中压、中频（≤100 kHz）场合。 ⚠️ 注意事项：IRF626 属于早期工艺产品，RDS(on) 相对较高、开关速度中等，不适用于高频（>200 kHz）、大电流或高效率要求场景；设计时需确保足够栅极驱动电压（≥10 V）以充分导通，并配备合理散热（如加散热片），避免热失效。现代设计中常被性能更优的型号（如IRF640、STP2NK60Z或新型超结MOSFET）替代，但在维修替换或成本敏感的成熟方案中仍有应用。
产品参数
图文手册
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