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- 型号： IPW90R800C3
- 制造商： Infineon
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IPW90R800C3由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IPW90R800C3价格参考。InfineonIPW90R800C3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IPW90R800C3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IPW90R800C3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IPW90R800C3 是英飞凌（Infineon Technologies）推出的高性能 900V CoolMOS™ C3 系列高压超级结 MOSFET，采用 TO-247 封装，典型导通电阻 RDS(on) 为 800 mΩ（最大值），具备低开关损耗、高效率和优异的硬换流鲁棒性。 其主要应用场景包括： ✅ 工业级开关电源（SMPS）：适用于 1–3 kW 级服务器电源、通信电源及 PLC 电源中的 PFC（功率因数校正）升压级和主 DC-DC 转换器。 ✅ 光伏逆变器：作为 MPPT 升压级或单相/三相逆变桥臂开关器件，凭借高电压耐受（900V）与低导通/开关损耗，提升系统效率与可靠性。 ✅ 不间断电源（UPS）与储能系统（ESS）：用于高频隔离型 DC-AC 逆变模块，在宽输入电压范围下保持稳定高效运行。 ✅ 工业电机驱动与变频器：适用于中小功率（≤5 kW）通用变频器的输出级或制动单元，支持 60 kHz 以上高频开关，减小磁性元件体积。 ✅ 高压直流（HVDC）辅助电源与电池管理系统（BMS）高压侧保护电路：利用其高雪崩耐量（UIS）和强短路耐受能力（10 µs），增强系统安全性。 该器件特别适合需高效率、高功率密度与长期可靠性的中高压、中等电流（ID ≤ 8A）应用，配合英飞凌驱动IC（如1ED系列）可进一步优化动态性能。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 900V 6.9A TO-247MOSFET COOL MOS |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 6.9 A |
| Id-连续漏极电流 | 6.9 A |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Infineon Technologies IPW90R800C3CoolMOS™ |
| 数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/IPW90R800C3_1.0.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c736bcc70ff2&fileId=db3a30431b3e89eb011b8db526a81095 |
| 产品型号 | IPW90R800C3 |
| Pd-PowerDissipation | 104 W |
| Pd-功率耗散 | 104 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 800 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 800 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 900 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 900 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 20 ns |
| 下降时间 | 32 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3.5V @ 460µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1100pF @ 100V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 42nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 800 毫欧 @ 4.1A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=25212http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=25318 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | PG-TO247-3 |
| 其它名称 | IPW90R800C3FKSA1 |
| 典型关闭延迟时间 | 400 ns |
| 功率-最大值 | 104W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | Infineon Technologies |
| 商标名 | CoolMOS |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 封装/箱体 | TO-247-3 |
| 工厂包装数量 | 240 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 240 |
| 漏源极电压(Vdss) | 900V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 6.9A （Tc） |
| 系列 | IPW90R800 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | IPW90R800C3FKSA1 SP000413758 |
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