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Datasheet下载- 型号： IPW60R125CP
- 制造商： Infineon
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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IPW60R125CP产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IPW60R125CP由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 提供IPW60R125CP价格参考以及InfineonIPW60R125CP封装/规格参数等产品信息。 你可以下载IPW60R125CP参考资料、Datasheet数据手册功能说明书， 资料中有IPW60R125CP详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IPW60R125CP 是英飞凌（Infineon Technologies）推出的600V、125mΩ（典型值）增强型N沟道CoolMOS™ C7系列高压功率MOSFET，采用TO-247封装。其核心优势在于低导通电阻（RDS(on)）、优异的开关性能及高可靠性，特别适用于高效率、高功率密度的硬开关应用。 典型应用场景包括： 🔹 工业开关电源（SMPS）：如通信基站、服务器电源、PLC电源中的PFC（功率因数校正）级和主DC-DC变换器，可提升整机效率（尤其在中高负载段）并减小散热需求； 🔹 光伏逆变器：用于单相或三相组串式逆变器的DC/AC逆变桥臂，凭借快速开关与低损耗特性，助力提升MPPT效率和系统能效； 🔹 不间断电源（UPS）：在在线式UPS的逆变输出级中实现高效电能转换，支持高频设计与紧凑布局； 🔹 电机驱动：适用于中小功率工业变频器、伺服驱动器中的逆变模块，兼顾动态响应与热稳定性； 🔹 LED驱动电源（高功率）：用于户外照明、工矿灯等高可靠性要求的恒流驱动方案。 该器件支持高达175°C结温，具备良好的雪崩耐量和dV/dt抗扰能力，适合严苛工业环境。需配合优化的栅极驱动（推荐12–15V驱动电压）及PCB热设计以发挥最佳性能。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 650V 25A TO-247MOSFET COOL MOS PWR TRANS MAX PWR 650V |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 25 A |
| Id-连续漏极电流 | 25 A |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Infineon Technologies IPW60R125CPCoolMOS™ |
| 数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/IPW60R125CP_rev2.2.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42e5bf349af |
| 产品型号 | IPW60R125CP |
| Pd-PowerDissipation | 208 W |
| Pd-功率耗散 | 208 W |
| Qg-GateCharge | 53 nC |
| Qg-栅极电荷 | 53 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 125 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 125 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 650 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 650 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 5 ns |
| 下降时间 | 5 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3.5V @ 1.1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2500pF @ 100V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 70nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 125 毫欧 @ 16A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=25318 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | PG-TO247-3 |
| 其它名称 | IPW60R125CPFKSA1 |
| 典型关闭延迟时间 | 50 ns |
| 功率-最大值 | 208W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | Infineon Technologies |
| 商标名 | CoolMOS |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 封装/箱体 | TO-247-3 |
| 工厂包装数量 | 240 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 240 |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 25A （Tc） |
| 系列 | IPW60R125 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | IPW60R125CPFKSA1 SP000088489 |
