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  • 型号: IPW60R075CP
  • 制造商: Infineon
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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IPW60R075CP产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IPW60R075CP由Infineon设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 提供IPW60R075CP价格参考以及InfineonIPW60R075CP封装/规格参数等产品信息。 你可以下载IPW60R075CP参考资料、Datasheet数据手册功能说明书, 资料中有IPW60R075CP详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 650V 39A TO-247MOSFET COOL MOS N-CH 600V 0.075Ohms

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

39 A

Id-连续漏极电流

39 A

品牌

Infineon Technologies

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Infineon Technologies IPW60R075CPCoolMOS™

数据手册

http://www.infineon.com/dgdl/IPW60R075CP_rev2.2.pdf?folderId=db3a304314dca38901152838487312ae&fileId=db3a304314dca38901152855d78912ce

产品型号

IPW60R075CP

Pd-PowerDissipation

313 W

Pd-功率耗散

313 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

75 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

75 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

600 V

Vds-漏源极击穿电压

600 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

17 ns

下降时间

7 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

3.5V @ 1.7mA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

4000pF @ 100V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

116nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

75 毫欧 @ 26A,10V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=25212http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=25318

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

PG-TO247-3

其它名称

IPW60R075CPFKSA1
IPW60R075CPIN
IPW60R075CPXK
SP000358192

典型关闭延迟时间

110 ns

功率-最大值

313W

包装

管件

商标

Infineon Technologies

商标名

CoolMOS

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

TO-247-3

封装/箱体

TO-247-3

工厂包装数量

240

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

240

漏源极电压(Vdss)

650V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

39A (Tc)

系列

IPW60R075

通道模式

Enhancement

配置

Single

零件号别名

IPW60R075CPFKSA1 SP000358192

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