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详细数据请看参考数据手册
- 型号： IPP80N06S2L-05
- 制造商： Infineon
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IPP80N06S2L-05由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IPP80N06S2L-05价格参考。InfineonIPP80N06S2L-05封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IPP80N06S2L-05参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IPP80N06S2L-05 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IPP80N06S2L-05 是英飞凌（Infineon Technologies）推出的N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-220封装，具有低导通电阻（RDS(on) ≤ 5.0 mΩ @ VGS = 10 V）、高电流能力（ID = 80 A）及优化的开关特性，适用于中高压、大电流、高效率的电源转换场景。 典型应用场景包括： ✅ 汽车电子：车载DC-DC转换器、电机驱动（如座椅调节、车窗升降、风扇控制）、LED前照灯驱动及车身控制模块（BCM），其AEC-Q101认证确保满足车规级可靠性与温度稳定性（-55°C ~ +175°C）。 ✅ 工业电源：开关电源（SMPS）、服务器/通信设备的二次侧同步整流、UPS逆变器输出级及工业电机驱动中的H桥/半桥功率开关。 ✅ 消费类与家电：高效变频空调压缩机驱动、洗衣机主驱逆变器、电磁炉谐振功率开关等对能效和热管理要求严苛的应用。 ✅ 可再生能源：光伏微逆变器、储能系统（ESS）中的直流侧开关与电池保护电路。 该器件具备超结（CoolMOS™ S2技术）结构，兼顾低开关损耗与强抗雪崩能力，配合快速体二极管，适合硬开关与高频（≤100 kHz）应用。设计时需注意PCB散热、栅极驱动匹配（推荐±20 V耐压驱动）及并联使用时的均流措施。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/IPP_B_I80N06S2L-05_green.pdf?folderId=db3a304412b407950112b426db703ad9&fileId=db3a304412b407950112b43226fc5731 |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IPP80N06S2L-05 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | OptiMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 5700pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 230nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 4.8 毫欧 @ 80A，10V |
| 供应商器件封装 | PG-TO220-3 |
| 其它名称 | IPP80N06S2L05AKSA1 |
| 功率-最大值 | 300W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 标准包装 | 500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 55V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 80A （Tc） |
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