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- 型号： IPP80N04S3-03
- 制造商： Infineon
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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IPP80N04S3-03产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IPP80N04S3-03由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 提供IPP80N04S3-03价格参考以及InfineonIPP80N04S3-03封装/规格参数等产品信息。 你可以下载IPP80N04S3-03参考资料、Datasheet数据手册功能说明书， 资料中有IPP80N04S3-03详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IPP80N04S3-03 是英飞凌（Infineon Technologies）推出的N沟道增强型功率MOSFET，采用PG-TO220-3-1封装，具有低导通电阻（RDS(on) ≤ 3.0 mΩ @ VGS = 10 V）、高电流能力（ID = 80 A，TC = 25°C）及优异的开关性能。其典型应用场景包括： 1. 汽车电子：广泛用于车载电源系统，如DC-DC转换器、电机驱动（如车窗升降、座椅调节、冷却风扇控制）、LED车灯驱动及电池管理系统（BMS）中的充放电开关。 2. 工业电源与电机控制：适用于中大功率开关电源（SMPS）、UPS、变频器、伺服驱动器及泵/压缩机等工业电机的H桥或半桥驱动电路。 3. 消费类与白色家电：在空调、洗衣机、冰箱等变频家电的逆变模块中，作为主开关器件实现高效能、低噪声的电机控制。 4. 服务器与通信电源：用于高密度、高效率的POL（Point-of-Load）转换器和VRM（电压调节模块）中，满足严苛的能效与热管理要求。 该器件具备AEC-Q101车规认证，支持宽温度范围（–55°C 至 +175°C），集成体二极管优化反向恢复特性，适合高频硬开关应用；其低RDS(on)和优良的SOA（安全工作区）保障了系统高可靠性与长期稳定性。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3MOSFET OPTIMOS-T PWR-TRANS N-CH 40V 80A 3.2 |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 80 A |
| Id-连续漏极电流 | 80 A |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 产品手册 | http://www.infineon.com/dgdl/IPP_B_I80N04S3-03_DS_1_0.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304412b407950112b42ba23a4587 |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Infineon Technologies IPP80N04S3-03OptiMOS™ |
| 数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/Infineon-IPP_B_I80N04S3_03-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304412b407950112b42ba23a4587&ack=t |
| 产品型号 | IPP80N04S3-03 |
| Pd-PowerDissipation | 188 W |
| Pd-功率耗散 | 188 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 3.5 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 3.5 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 40 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 40 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 17 ns |
| 下降时间 | 14 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 120µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 7300pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 110nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 3.5 毫欧 @ 80A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | PG-TO220-3 |
| 其它名称 | IPP80N04S303 |
| 典型关闭延迟时间 | 39 ns |
| 功率-最大值 | 188W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | Infineon Technologies |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 40V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 80A （Tc） |
| 系列 | xPP80N04 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | IPP80N04S303AKSA1 SP000261229 |
