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- 型号： IPP60R520C6
- 制造商： Infineon
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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IPP60R520C6产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IPP60R520C6由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 提供IPP60R520C6价格参考以及InfineonIPP60R520C6封装/规格参数等产品信息。 你可以下载IPP60R520C6参考资料、Datasheet数据手册功能说明书， 资料中有IPP60R520C6详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IPP60R520C6 是英飞凌（Infineon Technologies）推出的600V、520mΩ（典型值）增强型CoolMOS™ C6系列高压功率MOSFET，采用TO-220封装。其主要应用场景聚焦于高效率、高功率密度的中高频开关电源系统： 1. 服务器与通信电源：广泛用于AC-DC一次侧PFC（功率因数校正）电路及LLC谐振变换器的主开关，凭借低导通电阻（Rds(on)）和优化的栅极电荷（Qg）、输出电荷（Qoss），显著降低开关损耗，提升整机效率（满足80 PLUS Titanium/Platinum标准）。 2. 工业电源与UPS：适用于工业级开关电源、不间断电源（UPS）的DC-DC转换或逆变模块，在宽负载范围内保持高效率与热稳定性。 3. 太阳能逆变器：在组串式光伏逆变器的升压（Boost）和逆变桥路中，支持高频硬开关或软开关拓扑，兼顾效率与可靠性。 4. 家电与消费电子：用于高端变频空调、电磁炉等对能效与EMI要求严苛的变流系统，CoolMOS™ C6的超低寄生参数有助于简化EMI滤波设计。 该器件具备优异的dv/dt抗扰性、强雪崩耐量及150°C结温能力，配合成熟驱动方案（如英飞凌EiceDRIVER™），可实现紧凑、可靠、高功率密度的设计。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 8.1A TO220MOSFET COOL MOS |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 8.1 A |
| Id-连续漏极电流 | 8.1 A |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Infineon Technologies IPP60R520C6CoolMOS™ |
| 数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/IPP60R520C6_2_0.pdf?folderId=db3a3043163797a6011638933eda014b&fileId=db3a304323b87bc20123e68d6824590e |
| 产品型号 | IPP60R520C6 |
| Pd-PowerDissipation | 66 W |
| Pd-功率耗散 | 66 W |
| Qg-GateCharge | 23.4 nC |
| Qg-栅极电荷 | 23.4 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 520 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 520 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 600 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 10 ns |
| 下降时间 | 14 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3.5V @ 230µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 512pF @ 100V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 23.4nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 520 毫欧 @ 2.8A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=25318 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220-3 |
| 其它名称 | IPP60R520C6XKSA1 |
| 典型关闭延迟时间 | 85 ns |
| 功率-最大值 | 66W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | Infineon Technologies |
| 商标名 | CoolMOS |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220FP-3 |
| 工厂包装数量 | 500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 8.1A （Tc） |
| 系列 | IPP60R520 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | IPP60R520C6XKSA1 SP000645068 |
