Datasheet下载- 型号： IPP60R125C6
- 制造商： Infineon
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IPP60R125C6由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IPP60R125C6价格参考。InfineonIPP60R125C6封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IPP60R125C6参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IPP60R125C6 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IPP60R125C6 是英飞凌（Infineon Technologies）推出的600V、125mΩ CoolMOS™ C6系列高压功率MOSFET，虽常被归类于“功率半导体器件”，但在部分元器件平台中可能被宽泛标记为“专用IC”（实为分立功率器件，非真正意义上的集成电路）。其核心应用场景聚焦于高效率、高频开关的中高功率电源系统： - 服务器与通信电源：用于AC-DC PFC（功率因数校正）电路及LLC谐振变换器的主开关管，凭借低导通电阻（Rds(on)）和优化的Eoss（输出电容能量），显著降低开关损耗，提升整机效率（达96%+）。 - 工业电源与UPS：适用于1–3kW级不间断电源、可编程电源及电机驱动辅助电源，具备良好的dv/dt抗扰性与雪崩耐量，保障工业环境下的长期可靠性。 - 新能源应用：在光伏微型逆变器、储能系统（ESS）双向DC-DC变换器中，支持高频（>100kHz）硬开关或软开关设计，减小磁性元件体积，提升功率密度。 - 家电与高端适配器：用于变频空调PFC级、大功率快充适配器（如65W以上氮化镓协同方案中的高压侧开关），满足能源之星/CoC Tier 2等严苛能效标准。 该器件采用TO-220封装，兼容传统产线，同时支持SMD版本（IPP60R125C6XKSA1），便于自动化贴装。需注意：其驱动需匹配合适栅极电阻与负压关断，以抑制米勒振荡并优化EMI性能。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 30A TO220MOSFET 600V CoolMOS C6 Power Transistor |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 30 A |
| Id-连续漏极电流 | 30 A |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Infineon Technologies IPP60R125C6CoolMOS™ |
| 数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/IPW60R125C6_2_1.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a30432313ff5e01235b1ae8fc4910 |
| 产品型号 | IPP60R125C6 |
| Pd-PowerDissipation | 219 W |
| Pd-功率耗散 | 219 W |
| Qg-GateCharge | 96 nC |
| Qg-栅极电荷 | 96 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 125 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 125 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 650 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 650 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 12 nS |
| 下降时间 | 7 nS |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3.5V @ 960µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2127pF @ 100V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 96nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 125 毫欧 @ 14.5A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=25318 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220-3 |
| 其它名称 | IPP60R125C6XKSA1 |
| 典型关闭延迟时间 | 83 nS |
| 功率-最大值 | 219W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | Infineon Technologies |
| 商标名 | CoolMOS |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 30A （Tc） |
| 系列 | IPP60R125 |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | IPP60R125C6XKSA1 SP000685844 |
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