Datasheet下载- 型号： IPP50R399CPXKSA1
- 制造商： Infineon
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IPP50R399CPXKSA1由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IPP50R399CPXKSA1价格参考。InfineonIPP50R399CPXKSA1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IPP50R399CPXKSA1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IPP50R399CPXKSA1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IPP50R399CPXKSA1 是英飞凌（Infineon Technologies）推出的高性能650V CoolMOS™ C7系列N沟道功率MOSFET，采用TO-220封装。其典型导通电阻Rds(on)为399mΩ（标称值），具备低开关损耗、优异的硬换流鲁棒性及增强的体二极管反向恢复性能。 该器件主要面向中高功率、高效率开关电源应用，典型应用场景包括： ✅ 服务器与通信电源：用于AC-DC PFC（功率因数校正）级和LLC谐振变换器的主开关，提升能效并满足80 PLUS Titanium/Platinum标准； ✅ 工业电源与UPS系统：在宽输入电压范围（如380–400V DC母线）下稳定工作，支持高频（65–300kHz）软开关设计，减小磁性元件体积； ✅ 太阳能逆变器：适用于组串式逆变器的DC-DC升压级或隔离型拓扑中的高压侧开关，得益于其高dv/dt抗扰性与雪崩耐受能力； ✅ 电动汽车车载充电机（OBC）：在双向AC-DC或DC-DC模块中承担高频开关任务，C7技术可降低EMI并简化滤波设计。 其优化的电荷特性（Qg/Qgd低）、快速且可控的开关行为，以及符合JEDEC JESD47标准的可靠性，使其特别适合对效率、热管理与长期运行稳定性要求严苛的工业与能源类设备。注意：实际应用中需配合合理驱动（推荐12–15V栅极电压）、PCB布局与散热设计以发挥最佳性能。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 500V 9A TO-220 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/IPP50R399CP_rev2.0.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42db6a248cf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | IPP50R399CPXKSA1 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | CoolMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3.5V @ 330µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 890pF @ 100V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 4nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 399 毫欧 @ 4.9A，10V |
| 供应商器件封装 | TO-220-3 |
| 功率-最大值 | 83W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 标准包装 | 100 |
| 漏源极电压(Vdss) | 500V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 9A （Ta） |
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