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详细数据请看参考数据手册
- 型号： IPP120N04S3-02
- 制造商： Infineon
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IPP120N04S3-02由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IPP120N04S3-02价格参考。InfineonIPP120N04S3-02封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IPP120N04S3-02参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IPP120N04S3-02 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IPP120N04S3-02 是英飞凌（Infineon Technologies）推出的双N沟道增强型功率MOSFET阵列（采用PG-TDSON-8封装），具有低导通电阻（RDS(on)典型值仅2.0 mΩ @ VGS=10V）、高电流能力（ID = 120 A）、优异的开关性能及集成式ESD保护。其主要应用场景包括： 1. 汽车电子：广泛用于车载电机控制（如电子助力转向EPS、水泵、风扇驱动）、DC-DC转换器（如48V/12V双向降压或升降压模块）、LED车灯驱动及电池管理系统（BMS）中的充放电开关。 2. 工业电源与电机驱动：适用于伺服驱动器、变频器、BLDC电机控制器中的半桥/全桥输出级，尤其适合高频、高效率要求的中大功率场合（如5–20 kW级逆变单元）。 3. 服务器与通信电源：在高密度POL（Point-of-Load）电源、VRM（电压调节模块）及热插拔电路中，作为同步整流开关或负载开关，提升能效并减小PCB面积。 4. 消费类与家电：应用于高端变频空调压缩机驱动、洗衣机主驱、电动工具电池包保护电路等需高可靠性和强短路耐受能力的场景。 该器件支持逻辑电平驱动（VGS(th)约2.0–3.0 V），兼容主流MCU/PWM控制器；其优化的体二极管反向恢复特性（trr低、Qrr小）显著降低开关损耗与EMI，适合高频硬开关应用。需注意合理设计PCB布局、散热（建议使用大面积铜箔或散热片）及栅极驱动（避免振荡与过压）。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 40V 120A TO220-3 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/Infineon-IPP_B_I120N04S3_02-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304412b407950112b42ba1cd4583&ack=t |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IPP120N04S3-02 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | OptiMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 230µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 14300pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 210nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 2.3 毫欧 @ 80A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 供应商器件封装 | PG-TO220-3 |
| 其它名称 | IPP120N04S302 |
| 功率-最大值 | 300W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 标准包装 | 500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 40V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 120A （Tc） |
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