【IPP100N04S3-03/规格参数】厂家_IPP100N04S3-03中文资料_价格

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型号： IPP100N04S3-03
制造商： Infineon
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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IPP100N04S3-03产品简介：

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产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
ChannelMode	Enhancement
描述	MOSFET N-CH 40V 100A TO220-3MOSFET OptiMOS T PWR-TRANS N-CH 40V 100A
产品分类	FET - 单分离式半导体
FET功能	标准
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
Id-ContinuousDrainCurrent	100 A
Id-连续漏极电流	100 A
品牌	Infineon Technologies
产品手册	http://www.infineon.com/dgdl/IPP_B_I100N04S3-03_DS_1_0.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304412b407950112b42ba0e8457f
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,MOSFET,Infineon Technologies IPP100N04S3-03OptiMOS™
数据手册	http://www.infineon.com/dgdl/IPP_B_I100N04S3-03_DS_1_0.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304412b407950112b42ba0e8457f
产品型号	IPP100N04S3-03
Pd-PowerDissipation	214 W
Pd-功率耗散	214 W
RdsOn-Drain-SourceResistance	3.3 mOhms
RdsOn-漏源导通电阻	3.3 mOhms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	40 V
Vds-漏源极击穿电压	40 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	+/- 20 V
Vgs-栅源极击穿电压	20 V
上升时间	16 ns
下降时间	17 ns
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	4V @ 150µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	9600pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	145nC @ 10V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	2.8 毫欧 @ 80A，10V
产品目录页面	点击此处下载产品Datasheet
产品种类	MOSFET
供应商器件封装	PG-TO220-3
其它名称	IPP100N04S303 IPP100N04S303AKSA1 SP000261227
典型关闭延迟时间	46 ns
功率-最大值	214W
包装	管件
商标	Infineon Technologies
安装类型	通孔
安装风格	Through Hole
封装	Tube
封装/外壳	TO-220-3
封装/箱体	TO-220-3
工厂包装数量	500
晶体管极性	N-Channel
最大工作温度	+ 175 C
最小工作温度	- 55 C
标准包装	500
漏源极电压(Vdss)	40V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	100A （Tc）
系列	xPP100N04
通道模式	Enhancement
配置	Single
零件号别名	IPP100N04S303AKSA1 SP000261227