Datasheet下载- 型号： IPI80N06S3L-08
- 制造商： Infineon
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IPI80N06S3L-08由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IPI80N06S3L-08价格参考。InfineonIPI80N06S3L-08封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IPI80N06S3L-08参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IPI80N06S3L-08 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IPI80N06S3L-08 是英飞凌（Infineon Technologies）推出的高性能逻辑电平N沟道增强型功率MOSFET，采用PG-TO263-3封装（D²PAK），具有低导通电阻（RDS(on) ≤ 7.5 mΩ @ VGS = 10 V，典型值6.0 mΩ）、高连续漏极电流（ID = 80 A @ TC = 25°C）及优异的开关性能。 其主要应用场景包括： ✅ 汽车电子：广泛用于车身控制模块（BCM）、车窗升降、座椅调节、雨刮器驱动、LED前照灯调光/开关等12V车载直流负载驱动；支持AEC-Q101认证（该型号为工业级，但同系列衍生品常用于汽车，实际选型需确认具体版本是否通过AEC-Q101）。 ✅ 工业电源与电机驱动：适用于中小功率直流电机（如风机、泵、自动门）、开关电源次级同步整流、DC-DC转换器（如POL模块）、继电器/电磁阀替代驱动。 ✅ 消费类与家电：用于智能家电（洗衣机、空调压缩机辅助驱动、变频风扇）、电动工具（电池供电式电钻/割草机的H桥驱动）、UPS和储能系统中的功率开关。 ✅ 特点适配场景：逻辑电平驱动（VGS(th)低至1.0–2.0 V，可直接由MCU/3.3V/5V控制器驱动），配合低RDS(on)与优化体二极管，提升能效与热性能，适合空间受限且需高可靠性的中高频（≤100 kHz）硬开关应用。 注：设计时需注意PCB散热设计、栅极驱动稳定性及SOA（安全工作区）限制，尤其在感性负载或脉冲电流工况下。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 55V 80A TO-262MOSFET N-CH 55V 80A |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 80 A |
| Id-连续漏极电流 | 80 A |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Infineon Technologies IPI80N06S3L-08OptiMOS™ |
| 数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/IPP_B_I80N06S3L-08_DS_1_1.pdf?folderId=db3a304314dca389011528372fbb12ac&fileId=db3a304316f112290116f2e0cd5872ce |
| 产品型号 | IPI80N06S3L-08 |
| PCN过时产品 | |
| Pd-PowerDissipation | 105 W |
| Pd-功率耗散 | 105 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 7.9 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 7.9 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 55 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 55 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 16 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 16 V |
| 上升时间 | 35 ns |
| 下降时间 | 25 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.2V @ 55µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 6475pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 134nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 7.9 毫欧 @ 43A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | PG-TO262-3 |
| 其它名称 | IPI80N06S3L-08-ND |
| 典型关闭延迟时间 | 39 ns |
| 功率-最大值 | 105W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | Infineon Technologies |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 封装/箱体 | I2PAK-3 |
| 工厂包装数量 | 500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 55V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 80A （Tc） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | IPI80N06S3L08XK |
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