图片仅供参考
详细数据请看参考数据手册
- 型号： IPI65R660CFD
- 制造商： Infineon
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IPI65R660CFD由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IPI65R660CFD价格参考。InfineonIPI65R660CFD封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IPI65R660CFD参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IPI65R660CFD 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 650V 6.0A TO262MOSFET Infineon COOL MOS |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 6 A |
| Id-连续漏极电流 | 6 A |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Infineon Technologies IPI65R660CFDCoolMOS™ |
| 数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/IPI65R660CFD+2.41_.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a30432f29829e012f2f3975ce39c9 |
| 产品型号 | IPI65R660CFD |
| Pd-PowerDissipation | 63 W |
| Pd-功率耗散 | 63 W |
| Qg-GateCharge | 22 nC |
| Qg-栅极电荷 | 22 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 660 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 660 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 650 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 650 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 4 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 4 V |
| 上升时间 | 8 ns |
| 下降时间 | 10 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 200µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 615pF @ 100V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 22nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 660 毫欧 @ 2.1A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | PG-TO262-3 |
| 其它名称 | IPI65R660CFDXKSA1 |
| 功率-最大值 | 62.5W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | Infineon Technologies |
| 商标名 | CoolMOS |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 封装/箱体 | I2PAK-3 |
| 工厂包装数量 | 500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 标准包装 | 500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 650V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 6A （Tc） |
| 系列 | IPI65R660 |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | IPI65R660CFDXKSA1 SP000861696 |
![](https://productimg.icgoo.net/product-img/3m_photos/60-1"X36YD.jpg)
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