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  • 型号: IPI65R660CFD
  • 制造商: Infineon
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IPI65R660CFD由Infineon设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IPI65R660CFD价格参考。InfineonIPI65R660CFD封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IPI65R660CFD参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IPI65R660CFD 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

MOSFET N-CH 650V 6.0A TO262MOSFET Infineon COOL MOS

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

6 A

Id-连续漏极电流

6 A

品牌

Infineon Technologies

产品手册

点击此处下载产品Datasheet

产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Infineon Technologies IPI65R660CFDCoolMOS™

数据手册

http://www.infineon.com/dgdl/IPI65R660CFD+2.41_.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a30432f29829e012f2f3975ce39c9

产品型号

IPI65R660CFD

Pd-PowerDissipation

63 W

Pd-功率耗散

63 W

Qg-GateCharge

22 nC

Qg-栅极电荷

22 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

660 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

660 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

650 V

Vds-漏源极击穿电压

650 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

30 V

Vgs-栅源极击穿电压

30 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

4 V

Vgsth-栅源极阈值电压

4 V

上升时间

8 ns

下降时间

10 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4.5V @ 200µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

615pF @ 100V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

22nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

660 毫欧 @ 2.1A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

PG-TO262-3

其它名称

IPI65R660CFDXKSA1
SP000861696

功率-最大值

62.5W

包装

管件

商标

Infineon Technologies

商标名

CoolMOS

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA

封装/箱体

I2PAK-3

工厂包装数量

500

晶体管极性

N-Channel

标准包装

500

漏源极电压(Vdss)

650V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

6A (Tc)

系列

IPI65R660

配置

Single

零件号别名

IPI65R660CFDXKSA1 SP000861696

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