图片仅供参考
详细数据请看参考数据手册
- 型号： IPI65R280C6
- 制造商： Infineon
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IPI65R280C6由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IPI65R280C6价格参考。InfineonIPI65R280C6封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IPI65R280C6参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IPI65R280C6 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IPI65R280C6 是英飞凌（Infineon Technologies）推出的650V、280mΩ增强型CoolMOS™ C6系列高压功率MOSFET，采用TO-220FP封装（带绝缘底板）。其典型应用场景包括： 1. 开关电源（SMPS）：广泛用于服务器、通信设备及工业电源中的PFC（功率因数校正）电路和主DC-DC变换器，凭借低导通电阻（Rds(on)）与优化的Eoss（输出电容储能），显著提升效率并降低开关损耗。 2. 光伏逆变器：适用于组串式逆变器的DC/AC升压级或隔离型拓扑（如LLC谐振变换器），支持高频硬开关与软开关设计，兼顾高可靠性与高温稳定性（Tj最高150°C）。 3. 工业电机驱动与UPS系统：在中小功率变频器、不间断电源的逆变桥臂中，提供快速开关响应与强抗雪崩能力，确保系统在过载、短路等异常工况下安全运行。 4. 家电与照明：用于高端LED驱动电源、变频空调压缩机控制模块等对能效（符合IEC 61000-3-2、Energy Star等标准）和EMI性能要求严苛的应用。 该器件集成超结（Superjunction）结构，具备优异的Rds(on)×Qg品质因数，配合C6代工艺，在效率、热性能与驱动简易性间实现良好平衡，适合中高功率（约100–500W）高频开关场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 650V 13.8A TO262 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/IPI65R280C6_2_0.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a30432a7fedfc012a8ac1e7c758cf |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IPI65R280C6 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | CoolMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3.5V @ 440µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 950pF @ 100V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 45nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 280 毫欧 @ 4.4A，10V |
| 供应商器件封装 | PG-TO262-3 |
| 其它名称 | IPI65R280C6XKSA1 |
| 功率-最大值 | 104W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 标准包装 | 500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 650V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 13.8A （Tc） |
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