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详细数据请看参考数据手册
- 型号： IPI65R110CFD
- 制造商： Infineon
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IPI65R110CFD由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IPI65R110CFD价格参考。InfineonIPI65R110CFD封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IPI65R110CFD参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IPI65R110CFD 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IPI65R110CFD 是英飞凌（Infineon Technologies）推出的650V、110mΩ增强型CoolMOS™ CFD系列高压超级结MOSFET，专为高效率、高可靠性开关应用优化。其典型应用场景包括： - 开关电源（SMPS）：广泛用于服务器、通信设备及工业电源的PFC（功率因数校正）电路和主DC-DC变换器，得益于低导通电阻（Rds(on)）与优化的体二极管特性（CFD即“CoolFET with Fast Diode”），可显著降低开关损耗与反向恢复损耗。 - 光伏逆变器：适用于单相/三相组串式逆变器的DC-AC升压与逆变桥臂，支持高频硬开关，提升转换效率并减小磁性元件体积。 - 工业电机驱动与UPS系统：在中小功率变频器、不间断电源中承担高频斩波与能量回馈功能，CFD技术带来的快速软恢复体二极管可抑制电压尖峰，提升系统鲁棒性。 - 家电与白色家电：如变频空调压缩机驱动、电磁炉谐振变换器等对EMI和能效要求严苛的应用。 该器件采用TO-220FP封装（带绝缘底板），兼顾散热性与安装便利性，支持高达175°C结温，适用于紧凑型、高功率密度设计。需配合合理驱动（如12–15V栅极电压）及PCB热管理以发挥最佳性能。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 650V 31.2A TO262 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/DS_IPX65R110CFD_2_61.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c736bcc70ff2&fileId=db3a30433004641301306abd8e2041b1 |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IPI65R110CFD |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | CoolMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 1.3mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3240pF @ 100V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 118nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 110 毫欧 @ 12.7A，10V |
| 供应商器件封装 | PG-TO262-3 |
| 其它名称 | IPI65R110CFDXKSA1 |
| 功率-最大值 | 277.8W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 标准包装 | 500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 650V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 31.2A （Tc） |
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