图片仅供参考
详细数据请看参考数据手册
- 型号： IPI50R250CP
- 制造商： Infineon
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IPI50R250CP由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IPI50R250CP价格参考。InfineonIPI50R250CP封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IPI50R250CP参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IPI50R250CP 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IPI50R250CP 是英飞凌（Infineon Technologies）推出的高性能650V CoolMOS™ C7系列超级结N沟道功率MOSFET，典型导通电阻RDS(on)为250mΩ（标称值），采用TO-220FP封装（带绝缘法兰，适合PCB安装与散热优化）。 该器件主要面向中高功率、高效率开关电源应用，典型应用场景包括： ✅ 服务器与通信电源：用于PFC（功率因数校正）升压电路和LLC谐振变换器的主开关管，凭借C7技术的低开关损耗与优异的Eoss（输出电容能量），显著提升轻载至满载效率； ✅ 工业开关电源与UPS：在48V–400V输入范围的AC/DC或DC/DC模块中承担高频硬开关任务，兼顾可靠性与热管理需求； ✅ 太阳能逆变器辅助电源/辅助DC/DC转换器：适用于隔离式反激（Flyback）或有源钳位正激（ACF）拓扑，满足高隔离耐压与长期稳定运行要求； ✅ 家电与工业电机驱动中的辅助电源：如变频空调、PLC电源模块等对EMI和能效有严格要求的场景。 其CoolMOS™ C7平台具备快速体二极管、强抗dv/dt能力及优化的栅极电荷（Qg≈32nC），便于驱动设计并降低EMI风险。需注意：实际应用中应配合合理散热（如加装散热片）、优化PCB布局（减小寄生电感）及选用匹配的栅极驱动器（如1EDN/1EDS系列），以充分发挥性能优势。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 500V 13A TO262-3 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/IPI50R250CP_rev2.0.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c736bcc70ff2&fileId=db3a304320896aa20120d244f52350be |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IPI50R250CP |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | CoolMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3.5V @ 520µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1420pF @ 100V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 36nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 250 毫欧 @ 7.8A，10V |
| 供应商器件封装 | PG-TO262-3 |
| 其它名称 | IPI50R250CPXKSA1 |
| 功率-最大值 | 114W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 标准包装 | 500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 500V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 13A （Tc） |
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