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型号： IPI147N12N3GAKSA1
制造商： Infineon
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供IPI147N12N3GAKSA1由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IPI147N12N3GAKSA1价格参考。InfineonIPI147N12N3GAKSA1封装/规格：未分类，暂无。您可以下载IPI147N12N3GAKSA1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IPI147N12N3GAKSA1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

IPI147N12N3GAKSA1 是英飞凌（Infineon Technologies）推出的高性能N沟道增强型功率MOSFET，采用PG-TO263-7（D²PAK-7）封装，具备120V耐压、147A连续漏极电流（Tc=25°C）、极低导通电阻（RDS(on)典型值仅3.1mΩ @ VGS=10V）及优化的开关特性。

其主要应用场景包括：  
✅ 汽车电子：广泛用于车载DC-DC转换器（如12V/48V双向转换）、电动助力转向（EPS）电机驱动、车身控制模块（BCM）中的高电流负载开关及LED矩阵大灯驱动；符合AEC-Q101车规认证，支持严苛温度（-55°C ~ 175°C）与高可靠性要求。  
✅ 工业电源与电机驱动：适用于伺服驱动器、变频器、UPS逆变器及工业开关电源（如服务器PSU、通信电源）中的同步整流与高压侧/低压侧开关，凭借低导通损耗与快速开关（Qg≈100nC）提升系统效率与功率密度。  
✅ 可再生能源设备：在光伏微逆变器、储能系统（ESS）的电池管理与DC耦合电路中承担高效能量转换与保护开关功能。  

该器件集成优化的体二极管（软恢复特性），有助于降低EMI并简化栅极驱动设计；7引脚封装提供额外源极Kelvin连接，显著抑制寄生电感影响，保障高频（如100kHz+）下稳定工作。综上，IPI147N12N3GAKSA1是面向高效率、高功率密度及高可靠性需求的中高压功率开关核心器件。

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