图片仅供参考
详细数据请看参考数据手册
- 型号： IPG15N06S3L-45
- 制造商： Infineon
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IPG15N06S3L-45由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IPG15N06S3L-45价格参考。InfineonIPG15N06S3L-45封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IPG15N06S3L-45参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IPG15N06S3L-45 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IPG15N06S3L-45 是英飞凌（Infineon Technologies）推出的双通道逻辑电平N沟道增强型MOSFET阵列（采用PG-TDSON-8封装），具有低导通电阻（RDS(on) ≤ 4.5 mΩ @ VGS = 10 V）、高电流能力（ID = 15 A，连续；脉冲达60 A）及优化的开关特性。其典型应用场景包括： 1. 汽车电子系统：广泛用于12V车载电源管理，如电动座椅、车窗升降、雨刷、暖风控制等中小功率电机驱动模块；符合AEC-Q101汽车级可靠性标准，支持-40°C至175°C结温，适用于严苛车载环境。 2. 工业控制与电源：适用于DC-DC同步整流、负载开关、热插拔电路及PLC数字输出模块，双MOSFET结构便于实现半桥或独立双路控制，提升PCB空间利用率与系统集成度。 3. 消费类设备：用于打印机、扫地机器人、电动工具等需高效、紧凑驱动方案的便携式/智能设备中，配合逻辑电平驱动（VGS(th)低至1.0–2.0 V），可直接由MCU GPIO控制，简化外围电路。 该器件集成了ESD保护与过温关断功能，具备优异的dv/dt抗扰性与雪崩耐量，兼顾效率、可靠性和设计简易性，是中功率、高可靠性开关应用的理想选择。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET 2N-CH 55V 15A TDSON-8 |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道（双） |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IPG15N06S3L-45 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | OptiMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.2V @ 10µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1420pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 20nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 45 毫欧 @ 10A，10V |
| 供应商器件封装 | PG-TDSON-8-4（5.15x6.15） |
| 其它名称 | SP000396302 |
| 功率-最大值 | 21W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-PowerTDFN |
| 标准包装 | 5,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 55V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 15A |
推荐商品
热门文章
- 创新在线价格指数发布
- ICGOO商城11月热搜型号盘点
- ICGOO商城10月热搜型号盘点
- 【活动已结束】这个双十一，ICGOO与你在“1”起
- ICGOO商城9月热搜型号盘点
- 【行业热点】智能家居会成为我们的刚需吗？
- ICGOO商城8月热搜型号盘点
- 【福利】ICGOO迎新季，新客注册下单享好礼，更有倍捷连接器多重惊喜哟~
IPG15N06S3L-45 相关产品
猜你喜欢
最新产品推荐
其他制造商