Datasheet下载- 型号： IPD80N04S3-06
- 制造商： Infineon
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IPD80N04S3-06由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IPD80N04S3-06价格参考。InfineonIPD80N04S3-06封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IPD80N04S3-06参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IPD80N04S3-06 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IPD80N04S3-06 是英飞凌（Infineon Technologies）推出的双通道N沟道逻辑电平MOSFET阵列（采用PG-TO252-3封装，含两个独立但匹配的MOSFET），具有低导通电阻（RDS(on) ≤ 6.0 mΩ @ VGS = 10 V）、高电流能力（ID = 80 A）、增强型逻辑电平驱动（VGS(th) ≈ 2.0–3.5 V）及优异热性能。 典型应用场景包括： ✅ 汽车电子：车载电机控制（如车窗升降、座椅调节、冷却风扇驱动）、LED前照灯/尾灯调光与开关、DC-DC转换器（如12 V→5 V/3.3 V电源模块）； ✅ 工业控制：PLC输出模块、继电器替代方案、步进/直流无刷电机的半桥或H桥驱动（常与栅极驱动IC如IR2104配合使用）； ✅ 电源管理：高效率同步整流、电池保护电路（如双MOSFET用于充放电路径控制）、负载开关（支持快速开启/关断与反向电流阻断）； ✅ 消费电子：高端笔记本电脑/游戏设备的主板电源管理、USB PD协议供电路径切换、智能家电中的电机与加热元件驱动。 其集成双管结构节省PCB面积、提升通道匹配性与可靠性，逻辑电平兼容3.3 V/5 V MCU直接驱动，无需额外电平转换，适用于对空间、能效和系统集成度要求较高的中高功率开关场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/Infineon-IPD80N04S3_06-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304412b407950112b42ba80c45bb&ack=t |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IPD80N04S3-06 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | OptiMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 52µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3250pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 47nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 5.2 毫欧 @ 80A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 供应商器件封装 | PG-TO252-3 |
| 其它名称 | IPD80N04S3-06CT |
| 功率-最大值 | 100W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 40V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 90A （Tc） |
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