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IPD50R950CE产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IPD50R950CE由Infineon设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 提供IPD50R950CE价格参考以及InfineonIPD50R950CE封装/规格参数等产品信息。 你可以下载IPD50R950CE参考资料、Datasheet数据手册功能说明书, 资料中有IPD50R950CE详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 500V 4.3A PG-TO252MOSFET 500V 950 RDS CoolMOS Superjunction MOSFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 超级结 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 4.3 A |
| Id-连续漏极电流 | 4.3 A |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 产品手册 | http://www.infineon.com/dgdl/IPD50R950CE_2_0+%282%29.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c736bcc70ff2&fileId=db3a3043382e837301385194b31e1064 |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Infineon Technologies IPD50R950CECoolMOS™ |
| 数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl?folderId=db3a304314dca38901152836c5a412ab&fileId=db3a304336ca04c90136dec71b8e23dc&ic=0220007 |
| 产品型号 | IPD50R950CE |
| Pd-PowerDissipation | 34 W |
| Pd-功率耗散 | 34 W |
| Qg-GateCharge | 10.5 nC |
| Qg-栅极电荷 | 10.5 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 950 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 950 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 500 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 500 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3.5V @ 100µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 231pF @ 100V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 10.5nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 950 毫欧 @ 1.2A,13V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | PG-TO252-3 |
| 其它名称 | IPD50R950CEIN |
| 功率-最大值 | 34W |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 商标 | Infineon Technologies |
| 商标名 | CoolMOS |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
| 封装/箱体 | DPAK-2 |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 应用说明 | http://www.infineon.com/dgdl/Infineon+-+AN+2012-04+-+CoolMOS+500V+CE+v1+0.pdf?folderId=db3a3043353fdc1601355231f4834785&fileId=db3a304336ca04c90136ea3a92e736f6 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 500V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 4.3A (Tc) |
| 系列 | IPD50R950 |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | IPD50R950CEBTMA1 SP000992070 |