图片仅供参考
详细数据请看参考数据手册
- 型号： IPD50R800CE
- 制造商： Infineon
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IPD50R800CE由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IPD50R800CE价格参考。InfineonIPD50R800CE封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IPD50R800CE参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IPD50R800CE 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IPD50R800CE 是英飞凌（Infineon Technologies）推出的650V、800mΩ（典型值）增强型N沟道CoolMOS™ C7系列高压功率MOSFET，采用PG-TO252-3（DPAK）封装。其主要应用场景包括： 1. 开关电源（SMPS）：广泛用于服务器、通信设备及工业电源中的PFC（功率因数校正）电路和主DC-DC变换器，凭借低导通电阻（Rds(on)）与优化的Eoss（输出电容能量），显著提升效率并降低开关损耗。 2. 适配器与充电器：适用于高能效、小体积的65W–100W快充方案（如USB PD），支持高频（>100 kHz）工作，配合准谐振（QR）或有源钳位反激（ACF）拓扑，实现高功率密度与低待机功耗。 3. LED驱动电源：用于中大功率LED路灯、工矿灯等恒流驱动电路，具备良好的热稳定性和雪崩耐受能力，保障长期可靠运行。 4. 工业控制与辅助电源：在PLC、变频器、电机驱动的辅助电源模块中，提供高效、紧凑的隔离式DC-DC转换。 该器件集成超结技术，具有低栅极电荷（Qg）、快速开关特性及优异的dv/dt抗扰性，适合硬开关与软开关应用；但需注意其DPAK封装散热能力有限，建议合理设计PCB铜箔面积或搭配小型散热片以确保温升可控。不适用于大电流连续导通（如>5A持续负载）场景，推荐用于中小功率高频开关场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N CH 500V 5A TO252 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 超级结 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/IPD50R800CE+2.0.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c736bcc70ff2&fileId=db3a304339d29c450139d424706c02c2 |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IPD50R800CE |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | CoolMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3.5V @ 130µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 280pF @ 100V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 12.4nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 800 毫欧 @ 1.5A, 13V |
| 供应商器件封装 | PG-TO252-3 |
| 其它名称 | IPD50R800CECT |
| 功率-最大值 | 40W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 500V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 5A （Tc） |
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