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- 型号： IPD12CN10N
- 制造商： Infineon
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IPD12CN10N由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IPD12CN10N价格参考。InfineonIPD12CN10N封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IPD12CN10N参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IPD12CN10N 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IPD12CN10N 是英飞凌（Infineon Technologies）推出的高性能N沟道增强型功率MOSFET，采用PG-TSDSON-8封装（底部散热焊盘），具有低导通电阻（RDS(on)典型值仅1.2 mΩ @ VGS=10V）、高电流能力（ID可达120 A）及优化的开关特性。其主要应用场景包括： 1. 汽车电子：广泛用于车载DC-DC转换器、电动助力转向（EPS）、车身控制模块（BCM）、LED车灯驱动及电池管理系统（BMS）中的高效率同步整流与负载开关；符合AEC-Q101车规认证，支持-40°C至175°C结温，满足严苛车载环境要求。 2. 工业电源：适用于服务器/通信电源的次级同步整流、工业电机驱动的H桥/半桥功率级、UPS和光伏逆变器的DC侧开关等，凭借低导通损耗提升系统能效（如满足80 PLUS Titanium标准）。 3. 消费类高功率设备：如高端游戏电源、便携式储能电源（ESS）、电动工具电控板等需大电流、快速响应与高可靠性的场合。 该器件集成稳健的体二极管，具备抗雪崩能力和过温/过流保护兼容性，配合英飞凌驱动IC（如1ED系列）可实现高效、紧凑的功率设计。
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