Datasheet下载- 型号： IPB80R290C3A
- 制造商： Infineon
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IPB80R290C3A由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IPB80R290C3A价格参考。InfineonIPB80R290C3A封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IPB80R290C3A参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IPB80R290C3A 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IPB80R290C3A 是英飞凌（Infineon Technologies）推出的高性能高压 CoolMOS™ C3 系列N沟道功率MOSFET，额定电压800V，典型导通电阻RDS(on)为290mΩ（@Tj=25°C），采用TO-263（D²PAK）封装，具备优异的开关性能与导通损耗平衡。 其主要应用场景包括： ✅ 开关电源（SMPS）：广泛用于服务器、通信设备及工业电源中的PFC（功率因数校正）电路和主DC-DC变换器，得益于C3技术的低栅极电荷（Qg≈65nC）和快速开关能力，可提升效率并减小EMI。 ✅ 光伏逆变器：适用于组串式逆变器的DC/AC升压级与H桥输出级，在高直流母线电压（如600–1000V PV系统）下实现高效、可靠能量转换。 ✅ 工业电机驱动与UPS：在中小功率变频器、不间断电源中承担高频硬开关任务，C3系列良好的雪崩耐量（UIS）与热稳定性保障了过载与瞬态工况下的鲁棒性。 ✅ LED驱动与电子镇流器：适用于高效率、高功率密度的隔离型反激或LLC拓扑，满足能效标准（如Energy Star、80 PLUS Titanium）。 该器件支持高达175°C结温，配合优化的驱动设计，可在高频（60–300kHz）下兼顾效率与散热，是替代传统平面MOSFET或早期超结器件的理想升级选择。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 84 A |
| Id-连续漏极电流 | 84 A |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 产品目录 | 半导体 |
| 描述 | MOSFET N-Channel MOSFET 20-200V |
| 产品分类 | 分离式半导体 |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Infineon Technologies IPB80R290C3A |
| 产品型号 | IPB80R290C3A |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 80 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 80 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 200 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 200 V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 商标 | Infineon Technologies |
| 商标名 | CoolMOS |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/箱体 | D2PAK-2 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 系列 | IPB80R290 |
| 零件号别名 | IPB80R290C3AATMA1 SP000457710 |
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