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详细数据请看参考数据手册
- 型号： IPB65R380C6
- 制造商： Infineon
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IPB65R380C6由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IPB65R380C6价格参考。InfineonIPB65R380C6封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IPB65R380C6参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IPB65R380C6 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IPB65R380C6 是英飞凌（Infineon Technologies）推出的650V、380mΩ增强型N沟道CoolMOS™ C6系列高压功率MOSFET，专为高效率、高功率密度开关应用优化。其典型应用场景包括： 1. 开关电源（SMPS）：广泛用于服务器、通信设备及工业电源中的PFC（功率因数校正）电路和主DC-DC变换器，凭借低导通电阻（RDS(on)）与优异的开关损耗平衡，提升整机效率（尤其在轻载至满载全工况）。 2. 光伏逆变器：适用于组串式逆变器的DC/AC升压级与H桥输出级，CoolMOS™ C6的快速开关特性与低反向恢复电荷（Qrr）可降低体二极管损耗，提高MPPT效率与系统可靠性。 3. 工业电机驱动与UPS：在中小功率变频器、不间断电源（UPS）的逆变模块中，支持高频（~100 kHz）硬开关，减小磁性元件体积，同时具备良好的雪崩耐量与dv/dt抗扰性，保障恶劣工况下的鲁棒性。 4. LED驱动与充电桩：适用于高PF、高效率的隔离式LED驱动电源；亦见于交流充电桩的AC/DC整流级，满足能效标准（如80 PLUS Titanium、Energy Star）。 该器件采用TO-220封装，兼容传统产线，配合英飞凌驱动IC（如1ED系列）可进一步优化开关性能。综上，IPB65R380C6是面向高效、紧凑型中高功率电力电子系统的优选高压MOSFET。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 650V 10.6A TO263MOSFET 650V CoolMOS C6 Power Transistor |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 10.6 A |
| Id-连续漏极电流 | 10.6 A |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Infineon Technologies IPB65R380C6CoolMOS™ |
| 数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/IPB65R380C6_2_0.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a30432ba3fa6f012bf2c39eee77ca |
| 产品型号 | IPB65R380C6 |
| Pd-PowerDissipation | 83 W |
| Pd-功率耗散 | 83 W |
| Qg-GateCharge | 39 nC |
| Qg-栅极电荷 | 39 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 380 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 380 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 700 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 700 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 12 nS |
| 下降时间 | 11 nS |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3.5V @ 320µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 710pF @ 100V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 39nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 380 毫欧 @ 3.2A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | PG-TO263 |
| 其它名称 | IPB65R380C6CT |
| 典型关闭延迟时间 | 110 nS |
| 功率-最大值 | 83W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | Infineon Technologies |
| 商标名 | CoolMOS |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 封装/箱体 | D2PAK-2 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 650V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 10.6A （Tc） |
| 系列 | IPB65R380 |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | IPB65R380C6ATMA1 SP000785084 |
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