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IPB45N06S3-16产品简介:
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IPB45N06S3-16 是英飞凌(Infineon Technologies)推出的N沟道增强型功率MOSFET,采用PG-TO263-3(D²PAK)封装,具有60V耐压、45A连续漏极电流(Tc=25°C)、典型导通电阻Rds(on)仅16mΩ(Vgs=10V),并集成体二极管,具备优异的开关性能与热稳定性。 该器件广泛应用于中高功率、高效率的开关电源场景,典型应用包括: ✅ 工业电机驱动(如BLDC电机控制器中的下桥臂开关); ✅ 汽车电子系统(符合AEC-Q101认证),如车载DC-DC转换器、电动座椅/车窗控制模块、LED车灯驱动; ✅ 服务器与通信电源(如同步整流、次级侧开关、POL稳压); ✅ 不间断电源(UPS)和光伏逆变器中的DC侧开关与电池管理单元(BMS)充放电控制; ✅ 家电变频系统(如变频空调压缩机驱动、洗衣机主控板功率级)。 其低Rds(on)与快速开关特性(典型td(on)/td(off)约15ns/35ns)可显著降低导通与开关损耗,提升系统能效;内置ESD保护与雪崩耐量(EAS=500mJ)增强了可靠性。适用于硬开关及部分软开关拓扑,需配合合理PCB布局与驱动电路(推荐驱动电压10–15V,避免低于4.5V导致线性区工作)以发挥最佳性能。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 55V 45A TO-263 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/IPP_B_I45N06S3-16_Ds_1_1.pdf?folderId=db3a304314dca389011528372fbb12ac&fileId=db3a304316f112290116f2da981972b8 |
| 产品图片 |
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| 产品型号 | IPB45N06S3-16 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | OptiMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 30µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2980pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 57nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 15.4 毫欧 @ 23A,10V |
| 产品目录页面 | |
| 供应商器件封装 | PG-TO263-3 |
| 其它名称 | IPB45N06S3-16INDKR |
| 功率-最大值 | 65W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 55V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 45A (Tc) |