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IPB45N06S3-16产品简介:
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| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 55V 45A TO-263 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/IPP_B_I45N06S3-16_Ds_1_1.pdf?folderId=db3a304314dca389011528372fbb12ac&fileId=db3a304316f112290116f2da981972b8 |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IPB45N06S3-16 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | OptiMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 30µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2980pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 57nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 15.4 毫欧 @ 23A,10V |
| 产品目录页面 | |
| 供应商器件封装 | PG-TO263-3 |
| 其它名称 | IPB45N06S3-16INDKR |
| 功率-最大值 | 65W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 55V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 45A (Tc) |